【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅生产设备,尤其涉及一种多晶硅还原炉底盘用垫片结构。
技术介绍
1、还原炉是通过改良西门子法生产多晶硅的主要设备;在多晶硅生产时,需要向还原炉通入易燃易爆的还原性物料,且还原炉内的温度高达1080℃以上,进行长时间的还原反应,生产出最终产品;然后将还原炉的钟罩从底盘上取下,取出成品硅棒,再进行下一批次的硅芯安装,并将钟罩安装回底盘,继续进行还原反应。还原炉的钟罩和底盘之间的密封是通过密封垫来实现的,在生产过程中,必须保证密封垫的可靠性。由于密封垫在还原反应过程中,会受到高温辐射,导致密封垫老化,使用寿命缩短,增加了密封成本;尤其是随着还原炉的大型化,密封垫的直径已超过3m,密封垫的造价高,使用寿命短会直接提高了多晶硅的生产成本;且密封垫受高温辐射老化,会导致密封性降低,会影响作业环境,甚至导致安全事故的发生。
技术实现思路
1、有鉴于此,本技术提供一种多晶硅还原炉底盘用垫片结构,主要目的在于延长密封垫的使用寿命,提高密封垫的密封性。
2、为达到上述目的,本技术主要提供如下技术方案:
3、本技术的实施例提供一种多晶硅还原炉底盘用垫片结构,包括:支撑部、内侧密封部和外侧密封部;
4、所述支撑部为圆环形结构;
5、所述内侧密封部为圆环形结构;所述内侧密封部与所述支撑部同轴设置;所述内侧密封部设置在所述支撑部的上侧;所述内侧密封部的内径较所述支撑部的内径小;
6、所述外侧密封部为圆环形结构;所述外侧密封部与所述支撑部
7、所述外侧密封部与所述内侧密封部之间被构成隔离槽结构;所述隔离槽结构为环形凹槽。
8、进一步地,所述支撑部、所述内侧密封部和外侧密封部为一体化设置。
9、进一步地,所述支撑部、所述内侧密封部和外侧密封部为橡胶制作。
10、进一步地,所述隔离槽结构的深度不小于所述内侧密封部的高度。
11、进一步地,所述内侧密封部与所述支撑部的内径差不小于所述内侧密封部的高度的1/3。
12、借由上述技术方案,本技术多晶硅还原炉底盘用垫片结构至少具有下列优点:
13、能够延长密封垫的使用寿命,提高密封垫的密封性。
14、上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
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1.一种多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,包括:支撑部、内侧密封部和外侧密封部;
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,包括:支撑部、内侧密封部和外侧密封部;
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉底盘用垫片结构,其特征在于,
3.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁建,莫可璋,
申请(专利权)人:内蒙古大全新能源有限公司,
类型:新型
国别省市:
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