MEMS传感器及其敏感结构的释放方法技术

技术编号:40609823 阅读:25 留言:0更新日期:2024-03-12 22:17
本发明专利技术提供一种MEMS传感器及其敏感结构的释放方法,该传感器上封装有多个未释放MEMS敏感结构,每个未释放MEMS敏感结构包括悬臂梁、固定于悬臂梁上的加热电极和读出电极,以及悬空设置于悬臂梁上的质量块,质量块的第一端与读出电极的电极接头连接,质量块的第二端与加热电极的电极接头通过热升华胶滴刚性连接,需要使用传感器时,再对未释放MEMS敏感结构进行释放;并实时检测释放MEMS敏感结构是否失效;若失效,选取另一个未释放MEMS敏感结构进行释放。通过在传感器上封装多个未释放MEMS敏感结构,在需要时再进行释放,增强了传感器的抗冲击能力,从而避免了全部MEMS敏感结构同时失效的情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器,尤其涉及一种mems(micro-electro-mechanicalsystem,微机电系统)传感器及其敏感结构的释放方法。


技术介绍

1、随着mems技术的发展,基于mems工艺的传感器也得到的快速的发展。对于大多数mems传感器而言,其内部具有可动的梳齿、铰链、悬臂梁等结构,在制备环节多采用湿法或干法刻蚀工艺,在刻蚀过程中去除牺牲层从而完成结构的释放。但释放后的结构往往较为脆弱,易受外界振动、冲击影响而发生结构断裂。

2、而结构断裂是mems传感器失效的主要原因,除因结构工艺缺陷发生的意外断裂之外,加速度过载是导致传感器发生结构断裂的主要诱因。现有在mems传感器的设计过程中,会由多个重复mems敏感结构组成冗余结构,以此加强结构刚性来提高其抗过载能力。

3、但是目前的mems传感器均在芯片生成制造环节对mems敏感结构进行提前释放,在mems传感器完成封装后,其对外界加速度冲击的承受能力已无法改变,且在多个mems敏感结构一致性较高的情况下,加速度过载或导致多个mems传感器敏感结构同时损坏失效,从而导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MESM传感器敏感结构的释放方法,其特征在于,MEMS传感器上封装有多个未释放MEMS敏感结构,所述未释放MEMS敏感结构包括悬臂梁、固定于所述悬臂梁上的加热电极和读出电极,以及悬空设置于所述悬臂梁上的质量块,所述质量块的第一端与所述读出电极的电极接头连接,所述质量块的第二端与所述加热电极的电极接头通过热升华胶滴刚性连接,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述实时检测当前释放MEMS敏感结构是否失效包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种mesm传感器敏感结构的释放方法,其特征在于,mems传感器上封装有多个未释放mems敏感结构,所述未释放mems敏感结构包括悬臂梁、固定于所述悬臂梁上的加热电极和读出电极,以及悬空设置于所述悬臂梁上的质量块,所述质量块的第一端与所述读出电极的电极接头连接,所述质量块的第二端与所述加热电极的电极接头通过热升华胶滴刚性连接,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述实时检测当前释放mems敏感结构是否失效包括:

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢诚李佳王玮冰
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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