一种鼓室成形术的硅胶片制造技术

本发明专利技术公开了一种鼓室成形术的硅胶片，其特点是鼓室硅胶片上横向设有“Ｖ”形楔槽，楔槽为等间距且平行设置在整个鼓室硅胶片上。本发明专利技术与现有技术相比具有结构简单，制作方便，有效地防止了鼓室粘连的发生，极大地提高了鼓室成形术的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及人工器官
，具体地说是一种鼓室成形术的硅胶片。
技术介绍
在慢性中耳炎鼓室成形术中，鼓膜修复组织易与鼓室内壁发生粘连，尤其是骨岬、咽鼓管鼓室开口和骨峡等部位的粘膜若有溃疡或缺失破损时，修复组织可与上述部位的创面愈合，从而使新形成的鼓膜与鼓室发生部分或广泛的粘连，导致以下不良结果：(1)、鼓室气腔广泛闭锁，生产鼓室不张(atelectasis)并发鼓室不张所可能发生的不良后果，加上皮退缩性内陷袋形成，并继发胆脂瘤。(2)、鼓室后部气腔闭锁，鼓室前部无鼓膜形成，造成咽鼓管口显露和与外耳道沟通，并在鼓环缺失或不全时使外耳道鳞状上皮向咽鼓管内生长，发生下鼓室与咽鼓管内胆脂瘤。(3)、鼓峡闭锁，发生松弛部或新鼓膜上部处的上皮退缩性内陷袋，继之形成胆脂瘤。(4)、除了意外形成IV型小鼓室可有听力保存或提增外，声传导机制严重受损而致听力下降。(5)、鼓室粘连可使向咽鼓管引流受阻，发生有炎症相伴的活动性粘连性中耳炎。目前，在鼓室成形术中广泛采用植入鼓室硅胶片，它能有效地防止鼓室粘连的发生，效果虽然不错，但也存在以下的问题：①目前广泛使用的成形鼓室硅胶片，是一种全等厚的硅胶片，它会占据鼓室一定的容积，使鼓室内含气量下降，鼓室含气量下降过多，会造成传声效率下降。②吸鼻动作可造成鼓室一时性负压，有可能使鼓膜与鼓室硅胶片之间因空隙过小，而使鼓膜与鼓室硅胶片紧贴，发生这种情况，会迫使鼓膜运动受阻，影响听力，捏鼻鼓气常可临时解决这个问题，但总是对病人不便。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而设计的一种鼓室成形术的硅胶片，它在等厚的硅胶片上设置了“V”形楔槽，不但可以增加鼓室内的含气量，而且有效地防止了鼓室粘连的发生，大大提高了鼓室成形术效果。实现本专利技术目的的具体技术方案是：一种鼓室成形术的硅胶片，包括呈勺形的全等厚鼓室硅胶片，其特点是鼓室硅胶片上横向设有“V”形楔槽，楔槽为等间距且平行设置在整个鼓室硅胶片上。所述楔槽的槽深为鼓室硅胶片厚度的1/2，其槽宽与鼓室硅胶片的厚度相等。本专利技术与现有技术相比具有结构简单，制作方便，有效地防止了鼓室粘连的发生，极大地增加了鼓室含气量，鼓室成形术效果大大提高。-->附图说明图1为本专利技术结构示意图图2为图1的A-A示意图具体实施方式参阅附图1～附图2，本专利技术的全等厚鼓室硅胶片1上横向设有“V”形楔槽2，楔槽2为等间距且平行设置在整个鼓室硅胶片1上。鼓室硅胶片1为1.0mm全等厚的生物相容性硅胶，楔槽2的“V”形槽深为0.5mm，其槽宽为1.0mm，楔槽2的槽间距为0.5mm，鼓室硅胶片1呈勺形，并根据术中实际情况进行修正。本专利技术是这样使用的：将鼓室硅胶片1设有“V”形楔槽2的一面朝向鼓膜内侧，以使鼓室硅胶片1和鼓膜之间不是以面接触，而是留有“V”形空槽。本专利技术比现有技术采用的全等厚平面硅胶片有着更多的鼓室含气量，尽管所增空气量有限，但对于一个开放式鼓室成形术的低扁鼓室而言，是不可小觑的，尤其对提高鼓室成形术的效果有着积极地意义。以上只是对本专利技术作进一步的说明，并非用以限制本专利，凡为本专利技术等效实施，均应包含于本专利的权利要求范围之内。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种鼓室成形术的硅胶片，包括呈勺形的全等厚鼓室硅胶片，其特征在于鼓室硅胶片上横向设有“Ｖ”形楔槽，楔槽为等间距且平行设置在整个鼓室硅胶片上。

【技术特征摘要】
1.一种鼓室成形术的硅胶片，包括呈勺形的全等厚鼓室硅胶片，其特征在于鼓室硅胶片上横向设有“V”形楔槽，楔槽为等间距且平行设置在整个鼓室...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正敏，李萍，
申请(专利权)人：王正敏，李萍，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]