【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化合物半导体基板研磨用的研磨液。
技术介绍
1、近年来，与使用硅单晶基板形成的现有器件相比，高耐压且能够控制大电流的功率器件备受关注。功率器件例如形成于sic(碳化硅)单晶基板的一面侧。
2、已知在sic单晶基板的一面侧形成器件之前，对该一面侧实施cmp(chemicalmechanical polishing，即化学机械研磨)(例如参照专利文献1)。在专利文献1所记载的研磨方法中，在利用卡盘工作台对sic单晶基板进行吸引保持的状态下，一边向固定磨粒垫与sic单晶基板之间供给研磨液一边对sic单晶基板进行研磨。
3、在专利文献1中，特别记载了通过将高锰酸钾(kmno4)和硝酸铈铵((nh4)2ce(no3)6)用于研磨液，能够使研磨速率最高。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2012-253259号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、但是，专利文献1中记载的研磨液为强酸，其ph例如为1以上2以下。因此，存在研磨液的操作不容易、使用时伴有作业者的危险的问题。
3、本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，与强酸的研磨液相比，容易操作，并且降低作业者的危险。
4、用于解决课题的手段
5、根据本专利技术的一个方式，提供一种化合物半导体基板研磨用的研磨液，其具备溶解有高锰酸盐和水溶性化合物的水溶液，该水溶性化合物是弱酸和第三族
6、优选研磨液的ph为3以上7以下。
7、另外，优选该高锰酸盐的浓度为2.50wt％以上，该水溶性化合物的浓度为0.55wt％以上5.50wt％以下。
8、专利技术效果
9、本专利技术的一个方式的化合物半导体基板研磨用的研磨液由于构成水溶性化合物的弱酸的成分而成为弱酸性，因此与强酸的研磨液相比，能够容易操作，并且能够降低作业者的危险。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种化合物半导体基板研磨用的研磨液，其特征在于，其具备溶解有高锰酸盐和水溶性化合物的水溶液，该水溶性化合物是弱酸和第三族元素、镧系元素或第四族元素化合而成的。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板研磨用的研磨液，其特征在于，其pH为3以上7以下。
3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体基板研磨用的研磨液，其特征在于，该高锰酸盐的浓度为2.50wt％以上，该水溶性化合物的浓度为0.55wt％以上5.50wt％以下。
【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体基板研磨用的研磨液，其特征在于，其具备溶解有高锰酸盐和水溶性化合物的水溶液，该水溶性化合物是弱酸和第三族元素、镧系元素或第四族元素化合而成的。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板研磨用的研...
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