籽晶熔接的控制方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种籽晶熔接的控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：获取籽晶和晶体溶液熔接的目标溶液温度和目标熔接位置，以及预热开始时的起始溶液温度和起始籽晶位置，根据目标溶液温度和目标熔接位置，起始溶液温度和起始籽晶位置，确定籽晶的位置和溶液温度之间的关联关系，在预热过程中，检测实时溶液温度，根据实时溶液温度和关联关系，控制籽晶进行下降，使得达到目标溶液温度后的预设时间内，籽晶到达目标熔接位置，使得籽晶随溶液温度下降而下降，位置与溶液温度相关，实现了控制籽晶缓慢下降，减少籽晶受到的热冲击，避免籽晶在高温区长时间停留，提高熔接的位置和时机的准确性，提高工艺的一致性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种籽晶熔接的控制方法、一种籽晶熔接的控制装置、一种电子设备以及一种存储介质。

技术介绍

1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、预调温、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。

2、其中，当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温。预调温是将温度调整到一个合适的温度，将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，然后通过调温将温度调整到引晶的温度。引晶是在引晶温度下，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后，进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤，在该步骤中，通过对拉速和温度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种籽晶熔接的控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标溶液温度和目标熔接位置，以及所述起始溶液温度和起始籽晶位置，确定所述籽晶的位置和所述溶液温度之间的关联关系，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述晶体溶液的实时溶液温度，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制所述籽晶以预设速度下降到所述目标位置，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述籽晶以预设速度下降到所述目标位置，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种籽晶熔接的控制方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标溶液温度和目标熔接位置，以及所述起始溶液温度和起始籽晶位置，确定所述籽晶的位置和所述溶液温度之间的关联关系，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述晶体溶液的实时溶液温度，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制所述籽晶以预设速度下降到所述目标位置，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述籽晶以预设速度下降到所述目标位置，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取籽晶和晶体溶液熔接的目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正华，张伟建，郭力，王正远，李广砥，周宏坤，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：