ＳＯＩ　ＣＭＯＳ射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块制造技术

本发明专利技术涉及ＳＯＩ?ＣＭＯＳ射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块。ＳＯＩ?ＣＭＯＳ射频开关，包括若干隔直流电容、若干电阻和若干开关管，所述开关管为ＳＯＩ?ＣＭＯＳ开关管，开关管的漏极经一电阻连接到沟道控制电压，开关管的源极经另一电阻连接到沟道控制电压，并且开关管的源极接天线；沟道控制电压大于０Ｖ，并且小于高电平与开关管的阈值电压之差；在同一时刻，只有一个开关管的控制信号的电压为高电平，其余的开关管的控制信号的电压为０Ｖ。本发明专利技术所提供的技术方案简化了射频开关的结构，并且本发明专利技术所提供的射频开关可以在单电源供电下工作，还使得ＳＯＩ?ＣＭＯＳ射频开关中开关晶体管的控制信号电压可以高于晶体管安全电压，提高了射频开关的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频领域，尤其是SOI CMOS射频开关及包含该射频开关的射频发射前 端模块。
技术介绍
随着现代无线通信技术的不断发展，出现了多种通信标准并存的局面，如GSM， WCDMA, CDMA, TD-SCDMA等等。为了使同一个无线通信手机终端能够在全世界范围内通用， 要求手机终端必须同时支持这些不同的通信标准。因此，在手机终端中需要多个支持不同 通信标准的射频功率放大器，并且采用射频开关来将需要的射频功率放大器切换到发射通 道。同时，射频开关也可以用于时分复用通信中切换发射和接收通道。通常手机终端射频前端中的射频功率放大器采用GaAs异质结双极型晶体管 (HBT)工艺制造，射频开关采用GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺制造，而射频前端 的控制器则采用CMOS工艺制造，因此这些不同工艺的组合使得射频前端电路封装较为复 杂，且成本高昂。随着CMOS工艺及其兼容工艺的不断发展，业界在不断探索采用这些成本 相对低廉的工艺来全部集成所有射频前端电路。目前，绝缘硅(SOI)CMOS工艺发展成熟，其 与CMOS工艺兼容，相对GaAs工艺具有成本和集成度上的优势，并且它采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＯＩ　ＣＭＯＳ射频开关，包括若干隔直流电容（３０８、３０９、４０８、４０９、８１４）、若干电阻（３０３、３０５、３１０－３１２、４０３、４０５、４１０－４１２、８０３、８０５、８１０－８１２、８１５、８１６）和若干开关管（３０２、３０４、４０２、４０４、８０２、８０４、８１３），所述开关管为ＳＯＩ　ＣＭＯＳ开关管，其特征在于，开关管（３０２、３０４、４０２、４０４、８０２、８０４、８１３）的漏极经一电阻（３１０、３１２、４１０、４１２、８１０、８１２、８１６）连接到沟道控制电压，开关管（３０２、３０４、４０２、４０４、８０２、８０４、８１３）的源极经另一电阻（３１１、４１１、８１１）连接...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志鹏，王宇晨，
申请(专利权)人：锐迪科创微电子北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]