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本发明涉及ＳＯＩ?ＣＭＯＳ射频开关及包含该射频开关的射频发射前端模块。ＳＯＩ?ＣＭＯＳ射频开关，包括若干隔直流电容、若干电阻和若干开关管，所述开关管为ＳＯＩ?ＣＭＯＳ开关管，开关管的漏极经一电阻连接到沟道控制电压，开关管的源极经另一电阻连接...
该专利属于锐迪科创微电子（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过锐迪科创微电子（北京）有限公司授权不得商用。

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