【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种智能功率模块和电子设备。
技术介绍
1、含有升压二极管的智能功率模块通常采用n型半导体材料为衬底，正面设置p型半导体材料层，以在智能功率模块中形成升压二极管。n衬底焊接在用于连接高侧驱动悬浮供电电压的管脚焊盘上，p极通过导线连接用于连接高侧驱动芯片供电电压的管脚。
2、现有技术中，升压二极管的设置使芯片位置接近于产品塑封模块边缘，在受到应力和热应力时芯片与模块自举焊盘容易产生分层，影响产品的鲁棒性和可靠性。另外，升压二极管搭载的焊盘位置需要焊接驱动芯片接通高侧驱动悬浮供电电压的电极导线，升压二极管焊料溢料会影响焊线效果，通常会在自举二极管接位置和打线位置之间设计凹槽等阻断焊料溢料，增加自举焊盘制造成本。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种智能功率模块，该智能功率模块不仅鲁棒性和可靠性更高，而且可以实现小型化，以及生产和封装效率更高。
2、本专利技术进一步地提出了一种电子设备。
3、根据本专利技术实施例的智能功率模块，包括：驱动焊盘，所述驱动焊盘包括高压侧驱动焊盘，所述高压侧驱动焊盘上设置有高压驱动芯片；高侧驱动悬浮供电电压引脚，所述高侧驱动悬浮供电电压引脚与所述高压侧驱动焊盘在第一方向上间隔设置，所述高侧驱动悬浮供电电压引脚用于连接高侧驱动悬浮供电电压；高侧驱动芯片供电电压引脚，所述高侧驱动芯片供电电压引脚在所述第一方向上间隔设置于所述高
4、由此，通过在高侧驱动芯片供电电压引脚上设置一个自举焊盘，自举芯片为三个且设置于一个自举焊盘中，并且将三个自举芯片的衬底构造成一体件，以使三个相邻的自举芯片彼此贴靠且集成为一体，这样不仅可以提升自举芯片的可靠性和鲁棒性，而且可以减小三个自举芯片的总面积，利于智能功率模块的小型化，还可以减少划片工艺次数和上芯次数，提高作业效率，降低成本。
5、在本专利技术的一些示例中，三个相邻的所述自举芯片通过彼此之间的衬底不切割，而彼此贴靠且集成为一体。
6、在本专利技术的一些示例中，所述自举芯片包括p型阳极层和n型阴极层，所述p型阳极层为所述自举芯片的衬底，三个所述自举芯片的所述p型阳极层构造成一体件且与所述自举焊盘焊接，所述n型阴极层设置于所述p型阳极层背离所述自举焊盘的一侧。
7、在本专利技术的一些示例中，所述三个相邻的所述自举芯片的所述n型阴极层之间设置有保护环。
8、在本专利技术的一些示例中，所述保护环为p型保护环。
9、在本专利技术的一些示例中，所述p型保护环的离子掺杂浓度高于所述p型阳极层的离子掺杂浓度。
10、在本专利技术的一些示例中，所述保护环背离所述衬底一侧的表面与所述n型阴极层背离所述衬底一侧的表面相互平齐。
11、在本专利技术的一些示例中，所述自举芯片还包括电阻，所述电阻设置于所述n型阴极层背离所述p型阳极层的一侧。
12、在本专利技术的一些示例中，所述三个自举芯片在第二方向上排布，所述电阻第二方向上的长度小于所述n型阴极层，所述电阻第二方向上的两端分别与所述n型阴极层第二方向两侧的所述保护环间隔设置，其中，所述第二方向和所述第一方向相互垂直。
13、根据本专利技术实施例的电子设备，包括：以上所述的智能功率模块。
14、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
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1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，三个相邻的所述自举芯片(40)通过彼此之间的衬底不切割，而彼此贴靠且集成为一体。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述自举芯片(40)包括P型阳极层(41)和N型阴极层(42)，所述P型阳极层(41)为所述自举芯片(40)的衬底，三个所述自举芯片(40)的所述P型阳极层(41)构造成一体件且与所述自举焊盘(31)焊接，所述N型阴极层(42)设置于所述P型阳极层(41)背离所述自举焊盘(31)的一侧。
4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述三个相邻的所述自举芯片(40)的所述N型阴极层(42)之间设置有保护环(43)。
5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述保护环(43)为P型保护环。
6.根据权利要求5所述的智能功率模块，其特征在于，所述P型保护环的离子掺杂浓度高于所述P型阳极层(41)的离子掺杂浓度。
7.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述保护环(43
8.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述自举芯片(40)还包括电阻(44)，所述电阻(44)设置于所述N型阴极层(42)背离所述P型阳极层(41)的一侧。
9.根据权利要求8所述的智能功率模块，其特征在于，所述三个自举芯片(40)在第二方向上排布，所述电阻(44)第二方向上的长度小于所述N型阴极层(42)，所述电阻(44)第二方向上的两端分别与所述N型阴极层(42)第二方向两侧的所述保护环(43)间隔设置，其中，所述第二方向和所述第一方向相互垂直。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求1-9中任一项所述的智能功率模块(100)。
...【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，三个相邻的所述自举芯片(40)通过彼此之间的衬底不切割，而彼此贴靠且集成为一体。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述自举芯片(40)包括p型阳极层(41)和n型阴极层(42)，所述p型阳极层(41)为所述自举芯片(40)的衬底，三个所述自举芯片(40)的所述p型阳极层(41)构造成一体件且与所述自举焊盘(31)焊接，所述n型阴极层(42)设置于所述p型阳极层(41)背离所述自举焊盘(31)的一侧。
4.根据权利要求3所述的智能功率模块，其特征在于，所述三个相邻的所述自举芯片(40)的所述n型阴极层(42)之间设置有保护环(43)。
5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述保护环(43)为p型保护环。
6.根据权利要求5所述的智能功率模块，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：董军，高桥一裕，成章明，周文杰，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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