【技术实现步骤摘要】
本说明书实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种标准单元布局及集成电路。
技术介绍
1、随着半导体制造技术的飞速发展，集成电路(例如，专用集成电路asic)的规模越来越大，其内部可能已经到达数百万门，尽管在流片之前会经过逻辑分析、仿真等验证工序，但还是难以覆盖所有的功能组合，流片后的芯片可能会出现一些功能缺陷或者某些功能不能满足客户需求。
2、目前，通常采用工程变更技术(engineering change order，eco)解决上述功能缺陷或者增加新的功能以满足客户需求。其中，eco是指通过改变流片后的芯片的金属走线来更改原先的连接，进而达到修复逻辑功能或者增加新的功能。
3、然而，现有方案中的标准单元布局通过双扩散隔断图案实现，导致标准单元布局的面积较大，而且在进行eco时，仅能够使用部分标准单元布局，导致现有方案中的标准单元布局的面积利用率低。
技术实现思路
1、本说明书实施例解决的问题是提供一种标准单元布局及集成电路，能够提高标准单元布局的面积利用率，进而减小集成电路的尺寸。
2、首先，本说明书实施例提供一种标准单元布局，包括：
3、阱区；
4、第一导电图案，位于所述阱区上方；
5、第二导电图案，位于与所述第一导电图案相对的一侧；
6、多个有源区图案，位于所述第一导电图案和所述第二导电图案之间的第一区域和第二区域中；
7、第一中心导电图案，位于与所述第一区域相邻的有源区图案上方，且与
8、第二中心导电图案，位于与所述第二区域相邻的有源区图案上方，且与所述第二导电图案部分重叠；
9、多个栅极导电图案，分别位于所述多个有源区图案上方，且与所述有源区图案部分重叠；
10、多个单扩散隔断图案，位于所述多个有源区图案中远离所述第一中心导电图案和所述第二中心导电图案的一侧；
11、第一连通层图案，位于所述第一导电图案下方，且与所述第一中心导电图案部分重叠；
12、第二连通层图案，位于所述第二导电图案下方，且与所述第二中心导电图案部分重叠。
13、相应的，本说明书实施例还提供一种集成电路，包括多个标准单元布局，所述标准单元布局为前述任一实施例所述的标准单元布局，其中，多个所述标准单元布局按照预设的连接关系连接。
14、与现有技术相比，本说明书实施例的技术方案具有以下优点：
15、本说明书实施例提供的标准单元布局中，通过在多个有源区图案中远离第一中心导电图案和第二中心导电图案的一侧设置单扩散隔断图案，相比较于现有方案中采用双扩散隔断图案的标准单元布局，能够减小标准单元布局的面积，即使在面积相同的情况下，通过设置多个栅极导电图案，能够在所述栅极导电图案上形成对应的多个器件，从而能够提高标准单元布局的面积利用率，进而在完成相同电路版图设计时，能够减少使用的标准单元布局的数量，减小集成电路的尺寸。
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1.一种标准单元布局，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案与所述第二中心导电图案隔离。
3.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一区域与所述第一导电图案相邻，且位于所述第一区域的多个有源区图案包括第一有源区图案和第二有源区图案；
4.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案，位于所述第一有源区图案和所述第二有源区图案之间的上方；
5.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案和与所述第三有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区图案和第三有源区图案的第一公共栅极导电图案；
6.根据权利要求5所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案和与所述第三有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区图案和第三有源区图案的第三公
8.根据权利要求7所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的标准单元布局，其特征在于，位于所述第一有源区域图案和所述第二有源区域图案上方的第三导电图案的数量相同；
11.根据权利要求9所述的标准单元布局，其特征在于，位于所述第一有源区域图案和所述第二有源区域图案上方的第三导电图案的数量不同；
12.根据权利要求9任一项所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：多个阻断层，分别位于所述多个第三导电图案和所述多个第四导电图案部分区域的上方，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，用于隔断所述第三导电图案和/或第四导电图案。
13.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
14.一种集成电路，其特征在于，包括多个标准单元布局，所述标准单元布局为权利要求1-13任一项所述的标准单元布局，其中，多个所述标准单元布局按照预设的连接关系连接。
15.根据权利要求14所述的集成电路，其特征在于，所述多个标准单元布局的单扩散隔断图案相互重叠连接。
16.根据权利要求14所述的集成电路，其特征在于，包括：多个镜像对称的标准单元布局，且所述多个镜像对称的标准单元布局的阱区以及第一导电图案分别相互重叠连接。
...【技术特征摘要】
1.一种标准单元布局，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案与所述第二中心导电图案隔离。
3.根据权利要求1所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一区域与所述第一导电图案相邻，且位于所述第一区域的多个有源区图案包括第一有源区图案和第二有源区图案；
4.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，所述第一中心导电图案，位于所述第一有源区图案和所述第二有源区图案之间的上方；
5.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案和与所述第三有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区图案和第三有源区图案的第一公共栅极导电图案；
6.根据权利要求5所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求3所述的标准单元布局，其特征在于，与所述第一有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案和与所述第三有源区图案部分重叠的至少一个栅极导电图案连续，构成重叠所述第一有源区图案和第三有源区图案的第三公共栅极导电图案和第四公共栅极导电图案；
8.根据权利要求7所述的标准单元布局，其特征在于，还包括：
9.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏青，王俊，郁扬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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