一种介温超稳的电容器介质瓷料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种介温超稳的电容器介质瓷料及其制备方法，该瓷料的组分包括Ba(Ti<subgt;1‑</subgt;<subgt;x</subgt;Zr<subgt;x</subgt;)O<subgt;3</subgt;、Gd<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、MgO、ZnO及Sb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;；制法为首先按摩尔比称量乙酸钡(CH<subgt;3</subgt;COO)<subgt;2</subgt;Ba、钛酸四丁酯C<subgt;16</subgt;H<subgt;36</subgt;O<subgt;4</subgt;Ti和五水合硝酸锆Zr(NO<subgt;3</subgt;)<subgt;4</subgt;·5H<subgt;2</subgt;O，通过溶胶凝胶法制得主晶相粉体，随后将主晶相粉体与Gd<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;、MgO、ZnO及Sb<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;经研磨、模压成型制得片状坯体，最后经烧结制得瓷料。本发明专利技术通过纳米主晶相与改性剂的协同作用使瓷料不仅具有高介电常数、低介电损耗的特点，且在‑55至+85℃温区内介电常数温度变化率小于±15％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子陶瓷及其制备方法，尤其涉及一种介温超稳的电容器介质瓷料及其制备方法。

技术介绍

1、锆钛酸钡[ba(zrxti1-x)o3]作为钛酸钡(batio3)与锆酸钡(bazro3)形成的固溶体，兼顾了高介电性与居里温度可调等特点，可通过调整zr固溶含量使室温介电常数在102至104数量级间调节。另外，随着锆钛酸钡陶瓷中zr含量的增大，其可由正常铁电体转变为以弥散相变及频率色散为特征的弛豫铁电体。正是高zr含量下锆钛酸钡陶瓷强弥散相变的出现使其介电常数温度稳定性得到了一定程度的改善，为锆钛酸钡陶瓷成为温度稳定性优良的电容器瓷料奠定了基础。然而，不难发现高zr含量下，锆钛酸钡陶瓷的居里温度远低于室温，导致室温附近介电常数过低，且其在-55至+85℃温区内的介电常数温度变化率仍超过100％甚至更高。因此，锆钛酸钡基陶瓷高介、低损且介电温度稳定的多参数协同仍是该材料作为x5r乃至x7r型层积陶瓷电容器介质材料亟待解决的主要问题。

2、期刊《journal of materials science:materials in electro本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种介温超稳的电容器介质瓷料，其特征在于，按质量百分比包括如下组分：

2.一种权利要求1所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，C16H36O4Ti、无水乙醇、冰乙酸按体积比1:1:4～6混合。

4.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，(CH3COO)2Ba与Zr(NO3)4·5H2O按溶质与溶剂摩尔比为1:50～60溶解于冰乙酸水溶液。

5.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷...

【技术特征摘要】

1.一种介温超稳的电容器介质瓷料，其特征在于，按质量百分比包括如下组分：

2.一种权利要求1所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，c16h36o4ti、无水乙醇、冰乙酸按体积比1:1:4～6混合。

4.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，(ch3coo)2ba与zr(no3)4·5h2o按溶质与溶剂摩尔比为1:50～60溶解于冰乙酸水溶液。

5.根据权利要求2所述介温超稳的电容器介质瓷料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述ph值为3.0～4.0。

6.根据权利要求2所述介温超稳的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晨，吴泽众，廖孝涵，师月茹，王钥瑶，张文涛，卞欣乐，高子鑫，
申请(专利权)人：江苏科技大学，
类型：发明
国别省市：