MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备技术

本申请提供的MOSFET封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备，MOSFET封装结构通过将MOSFET芯片的第一表面贴装在载体芯片的安装区域内，MOSFET芯片与载体芯片之间的互连距离短，寄生电感小，易于实现高频率驱动。并且，通过在MOSFET芯片的第二表面贴装导电件形成MOSFET组件，MOSFET芯片上的输入垫、输出垫及接地垫为大电流通过区域，通过设置三个导电件分别与输入垫、输出垫及接地垫电连接，MOSFET芯片的大电流通过区域通过导电件与电路板互连，导电件不仅具有高载流能力，而且，还可以减小互连的电阻，减少MOSFET芯片的产热，且导电件的导热能力强，能够提升MOSFET芯片的散热性能。另外，MOSFET组件直接贴装于载体芯片组成MOSFET封装结构，封装体积小，有利于MOSFET封装结构的小型化。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装，特别涉及一种mosfet封装结构及其制作方法、电路板组件、电子设备。

技术介绍

1、随着消费电子轻薄化、低功耗以及功能多样化的趋势，要求主板上集成的器件越来越多，预留给器件的空间越来越小，封装后的芯片必须轻薄短小，从而为产品设计在轻薄化和高性能之间提供更大的选择。

2、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管，由于mosfet具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在电子设备(例如手机)中，其中，氮化镓(gan)mos相较于传统的硅mos，具有更低的导通电阻，开关速度快，可以实现更低的开关损耗，具有广泛的应用前景。目前，氮化镓mos大多为分立式器件封装，并受单独的驱动器驱动。

3、然而，独立封装的氮化镓mos和驱动器占据的体积大，且需要通过大量的引线实现电连接，引线引入寄生电感，导致产生开关损耗等问题。

技术实现思路

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括载体芯片、MOSFET芯片和三个导电件；

2.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述输入垫、所述输出垫和所述接地垫均位于所述第一表面所在的一侧，所述安装区域内的第一焊盘包括输入端焊盘、输出端焊盘和接地端焊盘，所述输入垫与所述输入端焊盘对应连接，所述输出垫与所述输出端焊盘对应连接，所述接地垫与所述接地端焊盘对应连接。

3.根据权利要求2所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述导电件为导电框架，所述导电框架包括主板部和侧板部，所述主板部覆盖在所述第二表面，所述侧板部的一端连接于所述主板部的侧边，所述...

【技术特征摘要】

1.一种mosfet封装结构，其特征在于，包括载体芯片、mosfet芯片和三个导电件；

2.根据权利要求1所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述输入垫、所述输出垫和所述接地垫均位于所述第一表面所在的一侧，所述安装区域内的第一焊盘包括输入端焊盘、输出端焊盘和接地端焊盘，所述输入垫与所述输入端焊盘对应连接，所述输出垫与所述输出端焊盘对应连接，所述接地垫与所述接地端焊盘对应连接。

3.根据权利要求2所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述导电件为导电框架，所述导电框架包括主板部和侧板部，所述主板部覆盖在所述第二表面，所述侧板部的一端连接于所述主板部的侧边，所述侧板部的另一端朝向所述载体芯片伸出；

4.根据权利要求3所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述导电框架和所述mosfet芯片之间设置有胶层。

5.根据权利要求3或4所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述导电框架包括铜框架或铜合金框架。

6.根据权利要求1所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述输入垫、所述输出垫和所述接地垫均位于所述第二表面所在的一侧，三个所述导电件分别覆盖所述输入垫、所述输出垫和所述接地垫。

7.根据权利要求6所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述导电件为覆盖在所述第二表面的导电层。

8.根据权利要求7所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述导电层包括铜层或铝层。

9.根据权利要求1-8任一项所述的mosfet封装结构，其特征在于，所述第一表面还分布有多个导电垫，所述导电垫与所述安装区域内的第一焊盘一一对应连接。

10.根据权利要求1-9任一项所述的mosfet封装结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王全龙，黄松，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：