一种电镀铜合金填充工艺的改善方法技术

本发明专利技术提供一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，半导体结构上形成凹槽；在凹槽表面形成阻挡层，在阻挡层上覆盖种子层；在凹槽内的种子层上电镀铜，直到凹槽内的铜的上表面接近凹槽开口时为止；在电镀铜的电镀液中加入杂质金属离子继续电镀，在电镀过程中，杂质金属离子迅速被完全消耗，在铜表面形成合金层；在凹槽内的所述合金层的上继续电镀铜；重复直到所述凹槽被填满为止；进行化学机械研磨，研磨至凹槽开口处为止。本发明专利技术利用合金电镀将杂质金属掺杂沉积在铜层中，形成合金层，可以优化杂质金属在铜线中的分布，提升电迁移的同时，避免了主体合金带来的铜线电阻严重升高现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种电镀铜合金填充工艺的改善方法。

技术介绍

1、提升电迁移(electron migration，em)的方法中，业界主流的做法是合金晶种，但此方法会显著增加电阻，这是因为大量的合金元素留在种子层中，而提升相对长度单位主要是把合金元素分布在铜的上表面，即与介电势垒的界面上。另一种方法铜表面掺杂剂需要长时间的加热，对热平衡是很大的挑战。

2、最近，已经证明了电镀cu(ag)合金。该方法的一个优点是可以在互连的整个厚度上实现cu的均匀掺杂。然而，电镀工艺变得更加复杂。与电镀工艺相比，pvd工艺更容易控制沉积层中的掺杂剂浓度。目前，在镀液中添加掺杂剂仍处于研究阶段。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，用于解决现有技术的电镀铜合金的填充工艺中，主体合金使得铜线电阻严重升高的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，电镀铜合金填充工艺的改善方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤一中在所述半导体结构上形成凹槽的方法为：通过光刻和刻蚀，在所述半导体结构上形成凹槽。

3.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤二中在所述凹槽表面形成阻挡层和种子层之前，对所述半导体结构上的所述凹槽进行湿法清洗。

4.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤三中采用电化学电镀工艺在所述凹槽内的所述种子层上电镀铜。

5.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的...

【技术特征摘要】

1.一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤一中在所述半导体结构上形成凹槽的方法为：通过光刻和刻蚀，在所述半导体结构上形成凹槽。

3.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤二中在所述凹槽表面形成阻挡层和种子层之前，对所述半导体结构上的所述凹槽进行湿法清洗。

4.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤三中采用电化学电镀工艺在所述凹槽内的所述种子层上电镀铜。

5.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤三中利用电镀液在所述凹槽内的所述种子层上电镀铜。

6.根据权利要求1所述的电镀铜合金填充工艺的改善方法，其特征在于：步骤四中所述电镀液采用间歇注入的方式加入所...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：