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本发明提供一种电镀铜合金填充工艺的改善方法，半导体结构上形成凹槽；在凹槽表面形成阻挡层，在阻挡层上覆盖种子层；在凹槽内的种子层上电镀铜，直到凹槽内的铜的上表面接近凹槽开口时为止；在电镀铜的电镀液中加入杂质金属离子继续电镀，在电镀过程中，杂质...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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