【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于掩模工艺校正的方法、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、随着半导体工艺的发展，设计尺寸越来越小。由于光的衍射和干涉现象，通过对掩模版进行曝光而在硅片上实际形成的晶圆图像与掩模版上的电路版图（简称为掩模版图）之间存在一定的差异。例如，晶圆图像可能出现线条宽度变窄、窄线条短点收缩、图形拐角处变圆滑等现象。
2、光学邻近校正（optical proximity correction，简称opc）技术被广泛用于半导体制造过程中减小晶圆图像与目标图案之间的差异。opc通过修改掩模版图来补偿成像，以使所获得晶圆图像更接近目标图案。
3、半导体制造工艺中，掩模过程中存在的非线性效应会导致电子束模糊化、光阻扩散、横向刻蚀偏差等。为了克服上述缺陷，应用掩模工艺校正（或者称之为掩模过程校正）（mask process correction, 简称mpc）技术以降低上述非线性效应造成的影响，从而尽可能使掩模上的电路版图与经过opc校正后的掩模版图一致。mpc校正过程中通常会消耗大量时间和计算资源。
技术实现思路
1、根据本公开的示例实施例，提供了一种用于掩模工艺校正的方案，以至少部分克服上述或者其他潜在缺陷。
2、在本公开的第一方面，提供了一种用于掩模工艺校正的方法。该方法包括：以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型，以生成第一仿真掩模版图；将第一仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版
3、在本公开的第二方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器以及与处理器耦合的存储器，存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使设备执行动作。该动作包括以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型，以生成第一仿真掩模版图；将第一仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版图，其中第一精度格式的精度低于第二精度格式的精度；以第二精度格式确定指示第二仿真掩模版图与目标掩模版图的差异的度量指标；以及迭代地调整第一仿真掩模版图直至度量指标小于预定阈值，以获得经校正的掩模版图。
4、在一些实施例中，以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型以生成第一仿真掩模版图包括：以第一精度格式对目标掩模版图执行卷积运算或傅里叶变换以生成第一仿真掩模版图。
5、在一些实施例中，以第一精度格式对目标掩模版图执行卷积运算包括使用以下核卷积公式进行计算以得到第一仿真掩模版图：
6、
7、其中m (x, y)表示第一仿真掩模版图， 是所输入的所述目标掩模版图，表示第r个卷积核，，并且k是卷积核的数目，（x,y）表示坐标，并且其中表示目标掩模版图的数据以及卷积核中的数据均以第一精度格式表示。
8、在一些实施例中，将第一仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版图包括：通过补全第一精度格式的尾数，将表示第一仿真掩模版图的第一精度格式的数据转换为第二精度格式的数据；或者对第一精度格式的数据进行插值，以将第一精度格式的数据转换为第二精度格式的数据。
9、在一些实施例中，度量指标包括以下至少一项：边缘放置误差，以及关键尺寸。
10、在一些实施例中，第一精度格式包括以下至少一项：16位脑浮点数格式bf16；以及16位半精度浮点数格式fp16；并且第二精度格式包括以下至少一项：32位单精度浮点数格式fp32；以及64位双精度浮点数格式fp64。
11、在一些实施例中，迭代地调整第一仿真掩模版图直至度量指标小于预定阈值包括：调整第一仿真掩模版图的形状，以生成经调整的仿真掩模版图；将经调整的仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版图；以及以第二精度格式确定度量指标。
12、在一些实施例中，以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型是通过第一处理器执行的；并且以第二精度格式确定指示第二仿真掩模版图与目标掩模版图的差异的度量指标是通过第二处理器执行的；其中第一处理器与第二处理器是同一处理器或不同的处理器。
13、在一些实施例中，电子设备包括至少一个处理器，处理器选自由以下项构成的组：中央处理单元cpu；图形处理单元gpu；现场可编程门阵列fpga；加速处理器ap；张量处理单元tpu；以及神经网络处理单元npu。
14、在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
15、本公开实施例的方案，能够提高mpc校正过程中的计算速度并且减少对计算资源和存储资源的消耗，从而提高了执行mpc的效率。
16、应当理解，
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
【技术保护点】
1.一种用于掩模工艺校正的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型以生成第一仿真掩模版图包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中以所述第一精度格式对所述目标掩模版图执行卷积运算包括使用以下核卷积公式进行计算以得到所述第一仿真掩模版图：
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版图包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述第一精度格式的数据进行插值以将所述第一精度格式的数据转换为所述第二精度格式的数据包括利用以下公式对所述第一精度格式的所述第一仿真掩模版图的数据进行插值运算：
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述度量指标包括以下至少一项：
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中迭代地调整所述第一仿真掩模版图直至所述度量指标满足预定阈值包括：
9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中：
10.一种电子设
11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述电子设备包括至少一个所述处理器，所述处理器选自由以下项构成的组：
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，程序被处理器执行时实现根据权利要求1-9中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种用于掩模工艺校正的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中以第一精度格式对经光学邻近校正的目标掩模版图应用掩模光刻模型以生成第一仿真掩模版图包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中以所述第一精度格式对所述目标掩模版图执行卷积运算包括使用以下核卷积公式进行计算以得到所述第一仿真掩模版图：
4.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第一仿真掩模版图转换为第二精度格式的第二仿真掩模版图包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中对所述第一精度格式的数据进行插值以将所述第一精度格式的数据转换为所述第二精度格式的数据包括利用以下公式对所述第一精度格式的所述第一仿真掩模版...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全智芯上海技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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