【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金刚石设备清洁，尤其涉及的是一种mpcvd设备反应腔的清洁方法。
技术介绍
1、金刚石具有优异的光学、力学、热学、电学性能，是一种典型的多功能材料，在航空航天、能源、智能传感器、精密加工等众多高新
有着广阔的应用前景。在较低的生产成本下，化学气相沉积(cvd)法可制备出大尺寸高品质金刚石膜，满足金刚石在高新
的应用要求。微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法具有微波功率可连续平稳的调节、微波能量转化率高、等离子体能量密度高、反应室内条件稳定、运行气压范围宽、制备金刚石膜质量高速度快、无内部电极可避免电极放电污染等优点，是高质量和多领域应用金刚石制备常用方法。
2、但是，在mpcvd设备中长时间沉积生长金刚石后，在反应腔内腔壁(为不锈钢腔壁)上会残留一层难以直接擦除的黄色附着物。如果黄色附着物不清理干净，这些残留附着物不仅会导致金刚石生长过程中产生不可控的杂质，影响金刚石的质量，并且，残留物还会影响反应腔体的散热，更容易产生次生等离子体，损坏设备，造成不必要的损失。对此，为清理反应腔上的残留附着物，工作人员通常使用砂纸、刀具等硬物刮擦强行清理，然而，采用硬物进行刮擦会产生大量的划痕，对不锈钢腔壁造成损伤，影响mpcvd设备后续使用的性能以及耐用性。
3、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种mpcvd设备反应腔的清洁方法，以解决现有对mpcvd设备反应腔中残留附着物
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种mpcvd设备反应腔的清洁方法，其包括：
4、将装有加热过的有机清洁溶液的容器置于mpcvd设备的反应腔内的基片台上，并关闭密封仓门以通过有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸处理；
5、取出容器，并采用有机清洁溶液沾湿的无尘布擦拭反应腔的腔壁上的残留附着物；
6、采用吸尘装置去除反应腔内的残留附着物碎屑以及液体蒸汽；
7、对反应腔进行烘烤处理以将反应腔中残留的液体蒸汽去除，并将反应腔内的残留杂质以刻蚀方式去除。
8、本专利技术的进一步设置，所述将装有加热过的有机清洁溶液的容器置于mpcvd设备的反应腔内的基片台上，并关闭密封仓门以通过有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸处理的步骤包括：
9、在基片台放置一片圆形海绵，并将基片台的高度设置为0；
10、将加热至沸腾后的有机清洁溶液倒入容器中，并将容器放置在圆形海绵上；
11、关闭密封仓门，保持基片台的高度为0，并静置1－2小时后取出容器；
12、将基片台的高度抬高，并将装有加热至沸腾的有机清洁溶液的容器放置在圆形海绵上，并静置1－2小时后取出容器。
13、本专利技术的进一步设置，在所述将基片台的高度抬高，并将装有加热至沸腾的有机清洁溶液的容器放置在圆形海绵上，并静置1－2小时后取出容器的步骤中，每一次将基片台抬高的间隔高度为20－40毫米。
14、本专利技术的进一步设置，采用有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸的次数为2－5次。
15、本专利技术的进一步设置，所述并采用有机清洁溶液沾湿的无尘布擦拭反应腔的腔壁上的残留附着物的步骤包括：
16、采用被有机清洁溶液沾湿的无尘布包裹的塑料铲对反应腔的内壁上的残留附着物进行刮除。
17、本专利技术的进一步设置，所述采用吸尘装置去除反应腔内的残留附着物碎屑以及液体蒸汽的步骤之后包括：
18、采用无尘布对反应腔的腔壁进行擦拭。
19、本专利技术的进一步设置，所述吸尘装置具有细长软管。
20、本专利技术的进一步设置，所述对反应腔进行烘烤处理以将反应腔中残留的液体蒸汽去除，并将反应腔内的残留杂质以刻蚀方式去除的步骤包括：
21、在基片台上放置钼片，并关闭密封仓门，通入氢气；
22、调整微波功率与反应腔内的气压，使得钼片的表面温度达到800－900摄氏度，并保持30－60分钟；
23、取出钼片并关闭密封仓门。
24、本专利技术的进一步设置，所述圆形海绵的外径与反应腔的内径相等。
25、本专利技术的进一步设置，所述有机清洁溶液为乙醇、丙酮或解胶剂。
26、本专利技术所提供的一种mpcvd设备反应腔的清洁方法，采用有机清洁溶液对mpcvd设备的反应腔进行高温熏蒸后，使得黄色的残留附着物软化起皱，其后可以通过无尘布与吸尘装置将反应腔内存残留附着物碎屑以及大部分液体蒸汽去除，最后再进一步对反应腔进行烘烤与刻蚀处理，能够将反应腔中残留的液体蒸汽去除，以及将残留的细微金刚石多晶、烟煤等杂质去除。相对于现有技术，本专利技术不仅可以将mpcvd设备的反应腔清洁干净，且不会对反应腔的内壁造成损伤，避免了反应腔内壁损伤对mpcvd设备的使用性能产生的影响，提高了mpcvd设备的耐用性。
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1.一种MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述将装有加热过的有机清洁溶液的容器置于MPCVD设备的反应腔内的基片台上，并关闭密封仓门以通过有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸处理的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，在所述将基片台的高度抬高，并将装有加热至沸腾的有机清洁溶液的容器放置在圆形海绵上，并静置1－2后小时后取出容器的步骤中，每一次将基片台抬高的间隔高度为20－40毫米。
4.根据权利要求3所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，采用有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸的次数为2－5次。
5.根据权利要求1所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述并采用有机清洁溶液沾湿的无尘布擦拭反应腔的腔壁上的残留附着物的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述采用吸尘装置去除反应腔内的残留附着物碎屑以及液体蒸汽的步骤之后包括：
7.根据
8.根据权利要求1所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述对反应腔进行烘烤处理以将反应腔中残留的液体蒸汽去除，并将反应腔内的残留杂质以刻蚀方式去除的步骤包括：
9.根据权利要求2所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述圆形海绵的外径与反应腔的内径相等。
10.根据权利要求1－9任一项所述的MPCVD设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述有机清洁溶液为乙醇、丙酮或解胶剂。
...【技术特征摘要】
1.一种mpcvd设备反应腔的清洁方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mpcvd设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述将装有加热过的有机清洁溶液的容器置于mpcvd设备的反应腔内的基片台上，并关闭密封仓门以通过有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸处理的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的mpcvd设备反应腔的清洁方法，其特征在于，在所述将基片台的高度抬高，并将装有加热至沸腾的有机清洁溶液的容器放置在圆形海绵上，并静置1－2后小时后取出容器的步骤中，每一次将基片台抬高的间隔高度为20－40毫米。
4.根据权利要求3所述的mpcvd设备反应腔的清洁方法，其特征在于，采用有机清洁溶液对反应腔进行熏蒸的次数为2－5次。
5.根据权利要求1所述的mpcvd设备反应腔的清洁方法，其特征在于，所述并采用有机清洁...
【专利技术属性】
技术研发人员：全峰，李长辉，邬明旭，邬立浩，吴家伟，
申请(专利权)人：深圳优普莱等离子体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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