数据处理装置及方法、数据处理装置的制造方法制造方法及图纸

一种数据处理装置及方法和数据处理装置的制造方法。该数据处理装置包括数据接口电路层、存内计算电路层和缓存电路层。数据接口电路层被配置为控制数据传输；存内计算电路层被配置为对接收的数据进行神经网络运算；缓存电路层被配置为存储用于存内计算电路层的数据，其中，数据接口电路层、存内计算电路层和缓存电路层至少部分层叠，存内计算电路层和缓存电路层通过数据接口电路层进行数据交互。该数据处理装置可以提高数据处理装置的集成密度，提高数据处理效率，降低功耗。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及一种数据处理装置、数据处理方法和数据处理装置的制造方法。

技术介绍

1、随着技术的飞速进步和数字化时代的快速发展，对算力的需求呈现爆炸性增长。二维芯片，也被称为平面芯片，是在一个平面上设计和制造的集成电路。在二维芯片中，所有的电路和晶体管都分布在同一平面上，通过平面上的金属线进行连接。但由于受到平面结构的限制，其集成度和性能提升遇到了瓶颈，无法满足现在对于高算力的需求。

技术实现思路

1、本公开至少一个实施例提供一种数据处理装置，包括：数据接口电路层，被配置为控制数据传输；存内计算电路层，被配置为对接收的数据进行神经网络运算；以及缓存电路层，被配置为存储用于所述存内计算电路层的数据，其中，所述数据接口电路层、所述存内计算电路层和所述缓存电路层至少部分层叠，所述存内计算电路层和所述缓存电路层通过所述数据接口电路层进行数据交互。

2、例如，在本公开至少一实施例提供的数据处理装置中，所述存内计算电路层包括至少一个存内计算阵列，所述存内计算阵列每个包括至少一个忆阻器阵列。

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【技术保护点】

1.一种数据处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的数据处理装置，其中，所述存内计算电路层包括至少一个存内计算阵列，所述存内计算阵列每个包括至少一个忆阻器阵列。

3.根据权利要求2所述的数据处理装置，其中，所述忆阻器阵列包括排列为多行多列的多个忆阻器，

4.根据权利要求1所述的数据处理装置，其中，所述缓存电路层包括缓存阵列，

5.根据权利要求4所述的数据处理装置，其中，所述阻变式存储器的材料结构包括：Pd/TaOx/Ta2O5/Pt或TiN/AlN/Pd或TiN/HfO2/TaOx/TiN或TiN/HfO2/TiN或TiN/TaOx/Ta...

【技术特征摘要】

1.一种数据处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的数据处理装置，其中，所述存内计算电路层包括至少一个存内计算阵列，所述存内计算阵列每个包括至少一个忆阻器阵列。

3.根据权利要求2所述的数据处理装置，其中，所述忆阻器阵列包括排列为多行多列的多个忆阻器，

4.根据权利要求1所述的数据处理装置，其中，所述缓存电路层包括缓存阵列，

5.根据权利要求4所述的数据处理装置，其中，所述阻变式存储器的材料结构包括：pd/taox/ta2o5/pt或tin/aln/pd或tin/hfo2/taox/tin或tin/hfo2/tin或tin/taox/ta2o5/pd的层叠结构。

6.根据权利要求4所述的数据处理装置，其中，所述开关晶体管包括碳纳米晶体管、氧化物半导体晶体管或二维晶体管。

7.根据权利要求4所述的数据处理装置，其中，所述缓存电路层还包括路由阵列；

8.根据权利要求7所述的数据处理装置，其中，所述缓存阵列和所述路由阵列沿所述数据接口电路层、所述存内计算电路层和所述缓存电路层至少部分层叠的方向上设置在不同层中。

9.根据权利要求7所述的数据处理装置，其中，所述存内计算电路层包括多个存内计算阵列；

10.根据权利要求1-9任一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建石，张伊蓓，李怡均，高滨，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：