【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及压力测试，尤其涉及一种真空规。
技术介绍
1、电容式压力传感器常用结构是利用合金压力应变膜片作为电容其中一个电极，与陶瓷基底上的导电镀层形成电容。当合金应变膜片两侧压力发生变化，产生压力差，导致合金应变膜片发生形变，从而改变合金应变膜片与陶瓷基底上导电层的距离，改变电容值。通过对电容值的测量来实现被测空间内压力的测量。
2、这样的压力测量原理并不复杂，但是，随着工艺发展，现代加工工艺对真空测量的精度、灵敏度和稳定性都有极高的要求。尤其是工艺尺寸达到纳米量级的半导体行业，真空压力测量的精确与否直接影响工艺成败。但是在半导体及相关产业的工艺过程中，氯基、氟基、卤素等强腐蚀性气体、液体、等离子体是非常常见的化学元素。这些具有强腐蚀性的化学成份在进行压力测量的同时，会直接接触压力传感器的合金应变膜片，这样就会对合金应变膜片同样产生腐蚀侵害，造成不可逆的表面损伤并带来力学性能影响。而且，在刻蚀、元素沉积等半导体工艺过程中会产生大量的大尺寸颗粒状工艺副产物，这些颗粒副产物会附着在真空压力传感器的合金应变膜片表面，虽然颗粒附...
【技术保护点】
1.一种真空规，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空规，其特征在于，所述抑制沉积结构包括：
3.根据权利要求2所述的真空规，其特征在于，针对每层阻挡叶片，该层阻挡叶片包括3-15个叶板，且该层所有叶板的占空比小于等于30％。
4.根据权利要求3所述的真空规，其特征在于，每层阻挡叶片的相邻叶板间的间隔角度相同。
5.根据权利要求3所述的真空规，其特征在于，所述叶板的倾斜角度为0-25度。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的真空规，其特征在于，相邻两层阻挡叶片的旋转角度小于等于所述叶板的弧度。>
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种真空规，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空规，其特征在于，所述抑制沉积结构包括：
3.根据权利要求2所述的真空规，其特征在于，针对每层阻挡叶片，该层阻挡叶片包括3-15个叶板，且该层所有叶板的占空比小于等于30％。
4.根据权利要求3所述的真空规，其特征在于，每层阻挡叶片的相邻叶板间的间隔角度相同。
5.根据权利要求3所述的真空规，其特征在于，所述叶板的倾斜角度为0-25度。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林琳，张心强，郜晨希，刘瑞琪，郑旭，远雁，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。