【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件检测分析，尤其涉及一种针对fpga辐照单粒子效应测试方法。
技术介绍
1、随着我国对空天和国防领域的日益重视，fpga作为众多型号上装应用的主要芯片之一，已经被广泛应用在航空航天和武器装备之中。
2、然而实际使用过程，宇宙射线、高能粒子和电磁干扰会对fpga的功能产生影响，严重者甚至会产生功能失效。为了保证fpga器件在轨运行期间具有高可靠性和正常的使用寿命，需要对fpga类别的器件进行辐照试验来验证器件的抗辐照性能。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种针对fpga辐照单粒子效应测试方法。
2、基于上述目的，本申请提供了一种针对fpga辐照单粒子效应测试方法，包括：
3、提供经过电性能测试的fpga芯片；
4、将所述经过电性能测试的fpga芯片至于dut载板，并置于设置有高能粒子辐照终端的靶室内；
5、将上位机安装于高能粒子辐照终端的靶室的辐照源外侧，并将dut载板与所述上位机连接；
6、远程控制所述辐照源对所述经过电性能测试的fpga芯片进行辐照剂量的高能粒子垂直入射，远程控制所述上位机控制所述dut载板对所述fpga芯片进行单事件效应测试；
7、通过所述上位机获取所述单事件效应测试的测试结果，将所述测试结果生成测试分析报告。
8、在其中一些实施例中，所述单事件效应测试包括sel效应测试和seu效应测试、seb效应测试和segr效应测试。
<...【技术保护点】
1.一种针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述单事件效应测试包括SEL效应测试和SEU效应测试、SEB效应测试和SEGR效应测试。
3.根据权利要求2所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述测试分析报告包括FPGA芯片对应的型号，和FPGA芯片对应的单粒子锁定阈值、翻转率、烧毁阈值和栅穿阈值；其中，所述通过所述SEL效应测试获取；所述翻转率通过所述SEU效应测试获取；所述烧毁阈值通过所述SEB效应测试获取；所述栅穿阈值通过所述SEGR效应测试获取。
4.根据权利要求2所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述单事件效应测试包括：
5.根据权利要求4所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述通过第二辐照剂量的高能粒子垂直入射进行SEL效应测试包括：
6.根据权利要求4所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述通过第一辐照剂量的高能粒子垂直入射进行SEU效应测试包括：
7.根据权利要求1所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述将上位机安装于高能粒子辐照终端的靶室的辐照源外侧，并将DUT载板与所述上位机连接包括：
8.根据权利要求1所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述提供经过电性能测试的FPGA芯片包括：
9.根据权利要求1所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述上位机中设置有SEL效应测试系统和SEU效应测试系统、SEB效应测试系统和SEGR效应测试系统。
10.根据权利要求1所述的针对FPGA辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述测试分析报告中包括图表形式的分析数据。
...【技术特征摘要】
1.一种针对fpga辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的针对fpga辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述单事件效应测试包括sel效应测试和seu效应测试、seb效应测试和segr效应测试。
3.根据权利要求2所述的针对fpga辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述测试分析报告包括fpga芯片对应的型号，和fpga芯片对应的单粒子锁定阈值、翻转率、烧毁阈值和栅穿阈值；其中，所述通过所述sel效应测试获取；所述翻转率通过所述seu效应测试获取；所述烧毁阈值通过所述seb效应测试获取；所述栅穿阈值通过所述segr效应测试获取。
4.根据权利要求2所述的针对fpga辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述单事件效应测试包括：
5.根据权利要求4所述的针对fpga辐照单粒子效应测试方法，其特征在于，所述通过第二辐照剂量的高...
【专利技术属性】
技术研发人员：路浩通，刘恒，郑学恒，高祎璠，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：发明
国别省市：
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