【技术实现步骤摘要】
本申请属于外延工艺，具体涉及一种外延加热装置、外延设备及外延温场调节方法。
技术介绍
1、外延工艺即采用化学气相沉积方法在原有衬底材料上生长出一层与衬底材料晶格完全一致的薄膜，并需要对外延层进行掺杂，形成p型或n型掺杂，以此来调控电阻率。外延工艺常常是在外延设备的反应室内高温下进行，待衬底表面温度达到外延生长的合适值时，向外延反应室内通入载气、反应源气体、掺杂气体等工艺气体，工艺气体输运至衬底表面上进行沉积生长，以外延生长出指定厚度的外延层。
2、目前反应室通常采用灯泡加热，然而对于调试衬底表面各区域，尤其是温场过渡区域生长厚度需求不同的产品或具有特殊要求的结构层时，仅通过调整灯泡功率以及固有的气体输送效率无法达到产品所需的目标值或结构层所需的目标结构，外延层各区域厚度的可调整范围较小，无法满足产品开发需求。
技术实现思路
1、专利技术目的：本申请实施例提供一种外延加热装置，旨在解决上述技术问题；本申请的另一目的在于提供一种使用上述外延加热装置的外延设备，本申请的另一目的在于提供一种应用于上述外延加热装置或外延设备的外延温场调节方法。
2、技术方案：本申请的一种外延加热装置，用于与外延生长表面间隔设置并加热所述外延生长表面，所述外延生长表面具有中轴线，所述外延加热装置包括：
3、多个第一加热灯，多个所述第一加热灯围绕所述中轴线排布，所述中轴线沿第一方向延伸；
4、第一调光屏，所述第一调光屏设置于多个所述第一加热灯之间，所述第一调光屏包
5、其中，所述第一加热灯被配置为能够朝向所述外延生长表面发射光线，所述第一遮光部被配置能够遮挡至少部分倾斜于所述第一方向的光线，所述第一反射部被配置为能够反射至少部分朝向所述第一反射部的光线。
6、在一些实施例中，所述第一遮光部在所述第一方向朝向所述外延生长表面延伸，且多个所述第一加热灯围绕所述第一遮光部设置。
7、在一些实施例中，所述第一遮光部在所述第一方向具有相对应的第一端和第二端，且所述第一端朝向所述外延生长表面，所述第一加热灯和所述第一端在所述第一方向的距离为a，满足：116mm≥a≥60mm。
8、在一些实施例中，所述第一反射部在自身延伸方向的尺寸为b，满足：47.5mm≥b≥36.4mm。
9、在一些实施例中，所述第一反射部与所述第一遮光部形成的夹角为c，满足：165°≥c≥90°。
10、在一些实施例中，所述外延加热装置还包括：
11、至少一个第二调光屏，所述第二调光屏围设在所述第一调光屏的外侧，所述第二调光屏包括在所述第一方向设置的第二遮光部和第二反射部，所述第二遮光部和所述第二反射部均围绕所述中轴线设置，所述第二反射部连接于所述第二遮光部朝向所述外延生长表面的一侧，并自所述第二遮光部沿倾斜于所述第一方向且靠近所述中轴线的方向延伸；
12、多个第二加热灯，多个所述第二加热灯设于所述第二调光屏背离所述第一调光屏的一侧，且多个所述第二加热灯围绕所述中轴线排布；
13、其中，所述第二加热灯被配置为能够朝向所述外延生长表面发射光线，所述第二遮光部被配置能够遮挡至少部分倾斜于所述第一方向的光线，所述第二反射部被配置为能够反射至少部分朝向所述第二反射部的光线。
14、在一些实施例中，所述第一反射部在自身延伸方向具有相对应的第三端和第四端，所述第三端连接所述第一遮光部；
15、所述第二反射部在自身延伸方向具有相对应的第五端和第六端，所述第五端连接所述第二遮光部，且所述第六端位于所述第四端朝向所述第三端的一侧。
16、在一些实施例中，所述第四端和所述第六端在所述第一方向的距离为d，满足：20mm≥d＞0。
17、在一些实施例中，所述第二反射部与所述第二遮光部形成的夹角为e，满足：125°≥e≥100°。
18、本申请实施例所述的一种外延设备，包括上述的外延加热装置。
19、在一些实施例中，所述外延设备还包括反应室，所述外延加热装置设于所述反应室，所述反应室内还设有生长基座，所述生长基座在所述第一方向上具有所述外延生长表面，所述生长基座在所述第一方向的两侧分别设有所述外延加热装置。
20、本申请实施例所述的一种外延温场调节方法，应用于上述的外延加热装置，或应用于上述的外延设备，包括：
21、在第一方向增大第一遮光部的长度和/或沿第一反射部的倾斜方向减小第一反射部的长度和/或增大第一遮光部和第一反射部的夹角；
22、或，在第一方向减小第一遮光部的长度和/或沿第一反射部的倾斜方向增大第一反射部的长度和/或减小第一遮光部和第一反射部的夹角。
23、有益效果：本申请实施例的外延加热装置包括多个第一加热灯及第一调光屏，多个第一加热灯围绕第一调光屏设置，第一调光屏包括在第一方向设置的第一遮光部和第一反射部，第一反射部连接于第一遮光部朝向外延生长表面的一侧，并自第一遮光部沿倾斜于第一方向且靠近中轴线的方向延伸，第一加热灯被配置为能够朝向外延生长表面发射光线，第一遮光部被配置能够遮挡至少部分倾斜于第一方向的光线，第一反射部被配置为能够反射至少部分朝向第一反射部的光线，根据外延生长表面的外延生长厚度需要，可灵活设定第一遮光部和第一反射部的尺寸，通过第一遮光部遮挡部分第一加热灯的光线，同时通过第一反射部反射部分第一加热灯的光线，能够调节第一加热灯朝向外延生长表面中心的光线照射量，从而调节外延生长表面中心与外周的温差，进而改变外延生长表面的中心温场区域，有利于配合外延工艺气体输送效率及第一加热灯的功率调整外延生长厚度，以满足不同产品所需的目标值或结构层所需的目标结构，扩大外延层各区域厚度的可调整范围。
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1.一种外延加热装置(1)，其特征在于，用于与外延生长表面(21)间隔设置并加热所述外延生长表面(21)，所述外延生长表面(21)具有中轴线(22)，所述外延加热装置(1)包括：
2.根据权利要求1所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
10.一种外延设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的外延加热装置(1)。
11.根据权利要求10所述的外延设备，其特征在于，
12.一种外延温场调节方法，其特征在于，应用于权利要求1至9中任一
...【技术特征摘要】
1.一种外延加热装置(1)，其特征在于，用于与外延生长表面(21)间隔设置并加热所述外延生长表面(21)，所述外延生长表面(21)具有中轴线(22)，所述外延加热装置(1)包括：
2.根据权利要求1所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的外延加热装置(1)，其特征在于，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的外延加热装置(1)，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：龚赛，陆波，杨振域，杜金生，郝小辉，
申请(专利权)人：中环领先半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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