【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器结构及制作工艺,尤其是一种带有模块化性质的紧凑型汽 车压力变送器及制造工艺。
技术介绍
目前,公知的压力传感器普遍采用压电式、应变式或者压阻式结构的原理,压电式 压力传感器的输出信号为电荷变化量,要转换成压力的直观变化,需要对后续的电信号进 行处理,但是该种传感器不适合在高温环境下使用,也不具有高的过载保护能力。压阻式压 力传感器中,最常用的传感器结构是充硅油硅压阻压力传感器。应变式压阻压力传感器由 于受结构影响,具有较大的线性、迟滞等静态误差。充硅油硅压阻式压力传感器具有线性 好,迟滞小等特点,测得数据比较准确,但是每一规格的传感器都需要特定的传感器底座, 在加工的时候需要将体积较大的特定传感器底座与芯体一一连接,这种方法即影响了焊接 特性又降低了工作效率。中国专利局于2009年11月18日公告了一份CN100561156C号专利,名称为SOI全 硅结构充硅油耐高温压力传感器,公开在真空环境下将压力芯片与PYREX7740玻璃通过静 电键合封接在一起,高温硅油在真空的环境下通过销钉孔充填于基座的空腔中,充填完硅 油后,将销钉锚入销钉孔, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴凡,潘寅,
申请(专利权)人:杭州博翔传感器有限公司,
类型:发明
国别省市:86
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。