用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置。坩埚包括坩埚本体和隔热室；坩埚本体的上端敞口，下端密封，形成容纳腔；隔热室包括隔热侧壁、隔热顶板和隔热底板；隔热顶板与隔热侧壁上端连接，隔热顶板设于坩埚本体底部下方；隔热底板与隔热侧壁下端连接，隔热底板、隔热侧壁和隔热顶板围合形成隔热腔；隔热底板设有进气导管，隔热侧壁设有出气孔。该坩埚通过在坩埚本体的底部设置具有进气导管和出气孔的隔热室，在合成碳化硅粉料时，可通过进气导管向隔热腔内通入气体，隔热腔可以起到一定的隔热作用，避免坩埚本体底部的温度过高，从而提高碳化硅粉料的产粉率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅粉制造，特别是涉及一种用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置。

技术介绍

1、碳化硅是第三代宽带隙半导体材料，其禁带宽度大、热导率高、载流子饱和迁移速度高、临界击穿电场强度高并具有极好的化学稳定性，在高温、高频率、大功率、高电压、强辐射等苛刻条件下，使用碳化硅制造的器件有优越的性能及稳定性。

2、碳化硅晶体制造行业中，原材料高纯碳化硅粉是由高纯碳粉及高纯硅粉在高温、低压、惰性气体保护的情况下反应合成而来。但是，因加热器的表面温度不均，导致温度在坩埚表面的温度表现为坩埚底部的温度高，坩埚顶部的温度低。这种坩埚上下部温度不均的情况，会使得坩埚底部合成的碳化硅粉因温度偏高而分解，分解产生的硅会形成硅蒸汽而流失，从而导致碳硅比例失调，并在坩埚的底部形成厚厚的碳化层，最终导致合成高纯碳化硅粉的产粉率偏低。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种能够有效地避免坩埚底部合成的碳化硅粉分解，提高碳化硅粉的产粉率的用于合成碳化硅粉料的坩埚、其制备方法及合成装置。p>

2、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述隔热室与所述坩埚本体为分体结构。

3.根据权利要求1所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体的容纳腔底壁在竖直方向的投影位于所述隔热腔底壁在竖直方向的投影范围之内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述进气导管设于所述隔热底板的底面中部；和/或

5.根据权利要求1至3中任一项所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述坩埚的材质为碳/碳复合材料。

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【技术特征摘要】

1.一种用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述隔热室与所述坩埚本体为分体结构。

3.根据权利要求1所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体的容纳腔底壁在竖直方向的投影位于所述隔热腔底壁在竖直方向的投影范围之内。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述进气导管设于所述隔热底板的底面中部；和/或

5.根据权利要求1至3中任一项所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚，其特征在于，所述坩埚的材质为碳/碳复合材料。

6.一种如权利要求1所述的用于合成碳化硅粉料的坩埚的制备方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丙菊，吴海源，彭浩波，谭善宥，李军，廖寄乔，
申请(专利权)人：湖南金博碳基材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：