【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法。
技术介绍
扩散是晶体硅太阳能电池制作的核心工艺，与电池片效率息息相关。在实际生产过程中，经常在硅片的扩散面发现一些黑点，做成成品电池后会产生外观不良，且对电池效率也会有一定影响，导致太阳能电池片不合格，通过对这些黑点做元素分析，与正常片相比，氧含量过高，其他无异，说明这些黑点处的二氧化硅太厚了。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种可将扩散产生的不良比例降低的晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。本专利技术的有益效果是，本专利技术通过调整工艺，扩散后长生的不良比例得到大幅度降低，二氧化硅的厚度达到正常，从而太阳能电池的效率得到提高。具体实施方式晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850℃，时间调整为30-40min，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为20-30SLM，氮气小流量为1000-1400SCCM，氧气干燥为300-500SCCM后，二氧化硅的厚度达到正常。以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为840-850℃，时间调整为30-40min，当...
【专利技术属性】
技术研发人员：华永军，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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