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本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其是晶体硅太阳能电池片控制二氧化硅厚度的方法，其方法为：先将晶体硅太阳能扩散时的中心温度调整为为８４０－８５０℃，时间调整为３０－４０ｍｉｎ，当二氧化硅沉积时，氮气大流量为２０－３０ＳＬＭ，氮气小流量为１０...
该专利属于常州天合光能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州天合光能有限公司授权不得商用。

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