基板处理装置、基板处理系统和基板处理方法制造方法及图纸

技术编号：40582340 阅读：5 留言：0更新日期：2024-03-06 17:26

本发明专利技术涉及基板处理技术领域，公开了一种基板处理装置、基板处理系统和基板处理方法，基板处理装置包括：安装板；腔室主体，其沿长度方向开设形成干燥腔室；前密封板，其沿长度方向一侧设置有承载盘；限位导轨，固定设置于安装板上；第一滑台，与限位导轨滑动连接，第一滑台适于承载前密封板沿限位导轨运动；第二滑台，与限位导轨滑动连接，第二滑台适于承载腔室主体沿限位导轨运动；驱动组件，包括驱动丝杠，驱动丝杠适于同时驱动第一滑台和第二滑台沿长度方向相互靠近或者相互远离。本发明专利技术所提供的基板处理装置，不仅降低了对基板本体二次污染的概率，而且减少了基板本体上的液膜的挥发量，有利于提高基板的良率。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理，具体涉及一种基板处理装置、基板处理系统和基板处理方法。

技术介绍

1、在集成电路发展过程中，随着层数的不断增加，集成度越来越高，进一步促进了基板表面图案的微细化和高深宽比增加，在基板表面的液体干燥的过程中，图案倒伏的现象更容易出现，基板的良率得不到保障。针对此类问题提出新的清洗干燥工艺，采用超临界流体(比如co2)来干燥基板，在超临界状态下将图案和基板表面的液体(比如ipa(异丙醇))置换掉排出，最后超临界流体在合适的工艺控制下，达到合适的工艺参数，以气体的形式排出，此工艺可以降低基板表面的图案倒伏现象，大大提高基板的良率。

2、但是，现有的超临界干燥装置，在基板转接过程中，基板暴露于干燥腔室外的时间较长，不仅容易对基板造成二次污染，而且容易导致基板上的液膜挥发，导致基板的良率降低。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种基板处理装置、基板处理系统和基板处理方法，以解决现有的超临界干燥装置，在基板转接过程中，基板暴露于干燥腔室外的时间较长，不仅容易对基板造成二次污染，而且容易导致基板上的液膜挥发的问题。

2、第一方面，本专利技术提供了一种基板处理装置，包括：

3、安装板；

4、腔室主体，其沿长度方向开设形成干燥腔室；

5、前密封板，其沿长度方向靠近腔室主体的一侧设置有承载盘，承载盘适于在前密封板的带动下承载基板本体进入干燥腔室内；

6、限位导轨，沿长度方向固定设置于安装板上；</p>

7、第一滑台，与限位导轨滑动连接，第一滑台适于承载前密封板沿限位导轨运动；

8、第二滑台，与限位导轨滑动连接，第二滑台适于承载腔室主体沿限位导轨运动；

9、驱动组件，设置于安装板上，驱动组件包括驱动丝杠，驱动丝杠同时与第一滑台和第二滑台传动连接，驱动丝杠适于同时驱动第一滑台和第二滑台沿长度方向相互靠近或者相互远离。

10、本专利技术所提供的基板处理装置，通过在安装板上设置限位导轨，从而对第一滑台和第二滑台进行导向和限位，保证对腔室主体和前密封板同时驱动过程中的精确性和稳定性；通过在限位导轨与前密封板之间设置第一滑台以及在限位导轨与腔室主体之间设置第二滑台，从而通过第一滑台承载前密封板沿限位导轨直线运动，并通过第二滑台承载腔室主体沿限位导轨直线运动；通过在安装板上设置驱动组件，从而通过驱动组件实现腔室主体与前密封板同时沿长度方向相互靠近或者相互远离；驱动组件包括驱动丝杠，通过驱动丝杠同时与第一滑台和第二滑台传动连接，且驱动丝杠对第一滑台的驱动方向与驱动丝杠对第二滑台的驱动方向相反，从而同时驱动第一滑台和第二滑台沿长度方向相互靠近或者相互远离，进而通过第一滑台和第二滑台带动腔室主体与前密封板同时沿长度方向相互靠近或者相互远离，节省了基板本体进出干燥腔室的时间，大大提高了基板本体进出干燥腔室的效率，不仅缩短了基板本体暴露于干燥腔室外的时间，降低了对基板本体二次污染的概率，而且减少了基板本体上的液膜的挥发量，有利于提高基板的良率。

11、在一种可选的实施方式中，驱动组件还包括：

12、第一丝杠锁母，与第一滑台相连接，第一丝杠锁母适于与驱动丝杠传动连接；

13、第二丝杠锁母，与第二滑台相连接，第二丝杠锁母适于与驱动丝杠传动连接；

14、其中，驱动丝杠对第一丝杠锁母的驱动方向与驱动丝杠对第二丝杠锁母的驱动方向相反。

15、通过如此设置，从而同时驱动第一滑台和第二滑台沿长度方向相互靠近或者相互远离，进而通过第一滑台和第二滑台带动腔室主体与前密封板同时沿长度方向相互靠近或者相互远离，大大提高了基板本体进出干燥腔室的效率，不仅缩短了基板本体暴露于干燥腔室外的时间，降低了对基板本体二次污染的概率，而且减少了基板本体上的液膜的挥发量，有利于提高基板的良率。

16、在一种可选的实施方式中，第一滑台包括固定架和第一滑块，固定架与前密封板相连接，第一滑块滑动设置于限位导轨上，第一滑块沿高度方向远离限位导轨的一侧与固定架相连接；

17、第二滑台包括固定板和第二滑块，固定板与腔室主体相连接，第二滑块滑动设置于限位导轨上，第二滑块沿高度方向远离限位导轨的一侧与固定板相连接。

18、在一种可选的实施方式中，基板处理装置还包括后密封板，后密封板设置于腔室主体沿长度方向远离前密封板的一侧；

19、腔室主体的长度方向两侧均设置有腔室密封面，腔室密封面环绕干燥腔室的端口周向设置，腔室密封面适于与前密封板和/或后密封板挤压贴合以实现密封。

20、在一种可选的实施方式中，基板处理装置还包括分流块，分流块设置于后密封板沿长度方向靠近干燥腔室的一侧；分流块上设置有吹扫气道，吹扫气道适于将吹扫气体、清洗液体和/或超临界流体通入干燥腔室内。

21、通过如此设置，从吹扫气道进入的吹扫气体和清洗液体均会对干燥腔室的内部表面产生一定的冲刷作用，从而对干燥腔室内部进行吹扫清洗，从而维护干燥腔室内的洁净度。

22、在一种可选的实施方式中，承载盘上固定设置有挡流板，挡流板沿高度方向远离承载盘的一侧高于承载盘上的基板本体的上表面，挡流板适于在承载盘进入至干燥腔室内后介于超临界流体的进口侧与基板本体之间。

23、通过如此设置，从而防止进入到干燥腔室内的超临界流体对基板本体进行直吹，避免基板本体上的液膜厚度不均匀或者液膜破损，避免基板本体上的图案倒伏的现象发生。

24、在一种可选的实施方式中，吹扫气道包括若干气道孔，若干气道孔在分流块靠近干燥腔室的一侧周向均匀间隔设置；

25、挡流板沿高度方向远离承载盘的一侧低于分流块上边缘上的气道孔，挡流板沿高度方向靠近承载盘的一侧高于分流块下边缘上的气道孔，从而有效防止进入到干燥腔室8200内的超临界流体对基板本体400进行直吹；

26、挡流板的弧长为l，l满足l≥1/2·c，其中，c为基板本体的周长。

27、通过如此设置，从而有效防止进入到干燥腔室内的超临界流体对基板本体进行直吹，有效避免基板本体上的液膜厚度不均匀或者液膜破损，有效避免基板本体上的图案倒伏的现象发生。

28、在一种可选的实施方式中，基板处理装置还包括密封驱动块，密封驱动块设置于前密封板和/或后密封板沿长度方向远离干燥腔室的一侧，密封驱动块适于抵顶前密封板和/或后密封板沿长度方向靠近腔室密封面，以使前密封板和/或后密封板与腔室密封面完全紧密贴合，从而保证干燥腔室内的密封性。

29、在一种可选的实施方式中，腔室主体的长度方向两侧均设置有吹扫管道，吹扫管道设置于腔室密封面远离干燥腔室的端口的一侧；吹扫管道上沿径向开设有若干吹扫孔，吹扫孔的吹扫方向朝向沿径向远离腔室密封面的方向。

30、通过如此设置，从而通过吹扫孔对挤压摩擦产生的颗粒以及环境中的颗粒向远离干燥腔室的方向进行吹扫，避免挤压摩擦产生的颗粒以及环境中的颗粒进入干燥腔室内，避免对干本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述驱动组件(844)还包括：

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一滑台(842)包括固定架(8421)和第一滑块(8422)，所述固定架(8421)与所述前密封板(830)相连接，所述第一滑块(8422)滑动设置于所述限位导轨(841)上，所述第一滑块(8422)沿高度方向远离所述限位导轨(841)的一侧与所述固定架(8421)相连接；

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括后密封板(850)，所述后密封板(850)设置于所述腔室主体(820)沿长度方向远离所述前密封板(830)的一侧；

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括分流块(851)，所述分流块(851)设置于所述后密封板(850)沿长度方向靠近所述干燥腔室(8200)的一侧；所述分流块(851)上设置有吹扫气道(852)，所述吹扫气道(852)适于将吹扫气体、清洗液体和/或超临界流体通入所述干燥腔室(8200)内。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述承载盘(831)上固定设置有挡流板(832)，所述挡流板(832)沿高度方向远离所述承载盘(831)的一侧高于所述承载盘(831)上的基板本体(400)的上表面，所述挡流板(832)适于在所述承载盘(831)进入至所述干燥腔室(8200)内后介于超临界流体的进口侧与基板本体(400)之间。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述吹扫气道(852)包括若干气道孔(8520)，若干所述气道孔(8520)在所述分流块(851)靠近所述干燥腔室(8200)的一侧周向均匀间隔设置；

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括密封驱动块(823)，所述密封驱动块(823)设置于所述前密封板(830)和/或所述后密封板(850)沿长度方向远离所述干燥腔室(8200)的一侧，所述密封驱动块(823)适于抵顶所述前密封板(830)和/或所述后密封板(850)沿长度方向靠近所述腔室密封面(821)，以使所述前密封板(830)和/或所述后密封板(850)与所述腔室密封面(821)完全紧密贴合。

9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述腔室主体(820)的长度方向两侧均设置有吹扫管道(822)，所述吹扫管道(822)设置于所述腔室密封面(821)远离所述干燥腔室(8200)的端口的一侧；所述吹扫管道(822)上沿径向开设有若干吹扫孔(8220)，所述吹扫孔(8220)的吹扫方向朝向沿径向远离所述腔室密封面(821)的方向。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括加热模块(824)，所述加热模块(824)包括若干第一加热器(8241)和若干第二加热器(8242)，所述第一加热器(8241)和所述第二加热器(8242)分别设置于所述干燥腔室(8200)的高度方向两侧；

11.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其特征在于，所述中转单元(200)包括中转装置(3)，所述中转装置(3)包括N层中转工位，N层所述中转工位沿高度方向设置，其中，N≥2，且N为偶数；

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其特征在于，所述中转装置(3)的下N/2层的每一层均设置有第一称重传感器，所述第一称重传感器适于对清洗布液之前的基板本体(400)进行称重并记为m1；所述后端处理传输装置(9)的下手臂上设置有第二称重传感器，第二称重传感器适于对清洗布液之后的基板本体(400)进行称重并记为m2；当且仅当G1≤m2－m1≤G2时，所述基板本体(400)被送入所述干燥腔室(8200)内，否则所述基板本体(400)被送回至所述清洗液膜形成装置(4)重新清洗布液，其中，G1、G2为所述基板处理系统的设定布液偏差参数。

14.一种基板处理方法，应用于如上述权利要求11-13中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：

...

【技术特征摘要】

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述驱动组件(844)还包括：

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括密封驱动块(823)，所述密封驱动块(823)设置于所述前密封板(830)和/或所述后密封板(850)沿长度方向远离所述干燥腔室(8200)的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘福强，王嘉琪，史霄，张康，吴尚东，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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