【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理，具体涉及一种密封结构、超临界干燥装置和基板处理系统。
技术介绍
1、在集成电路发展过程中，随着层数的不断增加，集成度越来越高，进一步促进了基板表面图案的微细化和高深宽比增加，在基板表面的液体干燥的过程中，图案倒伏的现象更容易出现，基板的良率得不到保障。针对此类问题提出新的清洗干燥工艺，采用超临界流体(比如co2)来干燥基板，在超临界状态下将图案和基板表面的液体(比如ipa)置换掉排出，最后超临界流体在合适的工艺控制下，达到合适的工艺参数，以气体的形式排出，此工艺可以降低基板表面的图案倒伏现象，大大提高基板的良率。
2、但是，现有的超临界干燥装置，在晶圆进入腔室后难以对腔室进行有效密封，容易降低基板的良率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种密封结构、超临界干燥装置和基板处理系统，以解决现有的超临界干燥装置在晶圆进入腔室后难以对腔室进行有效密封，容易降低基板的良率的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种密封结构，包括：
...【技术保护点】
1.一种密封结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封驱动块(813)的长度方向两侧设置有弧形凸起(8132)，所述弧形凸起(8132)沿高度方向靠近所述旋转门(812)的一侧适于开设形成所述第二楔形部(8131)。
3.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封结构还包括真空管(814)，所述真空管(814)与所述干燥腔室相连通，所述真空管(814)适于对所述旋转门(812)辅助密封锁紧。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的密封结构，其特征在于，所述腔室主体(811)的高度方向两侧...
【技术特征摘要】
1.一种密封结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封驱动块(813)的长度方向两侧设置有弧形凸起(8132)，所述弧形凸起(8132)沿高度方向靠近所述旋转门(812)的一侧适于开设形成所述第二楔形部(8131)。
3.根据权利要求1所述的密封结构，其特征在于，所述密封结构还包括真空管(814)，所述真空管(814)与所述干燥腔室相连通，所述真空管(814)适于对所述旋转门(812)辅助密封锁紧。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的密封结构，其特征在于，所述腔室主体(811)的高度方向两侧设置有第一限位部(8112)和第二限位部(8113)，所述第一限位部(8112)与所述第二限位部(8113)之间间隔形成限位槽(8114)，所述限位槽(8114)适于对所述旋转门(812)沿高度方向进行限位。
5.一种超临界干燥装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述直线驱动机构(84)包括：
7.根据权利要求6所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述旋转驱动机构(83)包括：
8.根据权利要求7所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述限位轨道(832)包括圆弧段(8321)和直线段(8322)，所述圆弧段(8321)适于在所述旋转门(812)转动过程中与所述第一转轴(830)共同对所述旋转门(812)进行限位，所述直线段(8322)适于在所述旋转门(812)移动过程中与所述直线导轨(844)共同对所述旋转门(812)进行限位。
9.根据权利要求5-8中任意一项所述的超临界干燥装置，其特征在于，所述超临界干燥装置还包括承载盘(85)，所述承载盘(85)固定设置于所述旋转门(812)上靠近所述第二密...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘福强，史霄，张康，吴尚东，王嘉琪，李婷，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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