三相全桥级联的多电平逆变器拓扑结构制造技术

本发明专利技术提供了一种三相全桥级联的多电平逆变器拓扑结构。利用四个三相全桥逆变器级联构成五电平逆变器，包含24个IGBT，还有四个直流电压源分别为每一级逆变器供电、一个交流电机作为三相负载。相较于传统级联H桥结构，本发明专利技术仅需四个电源即可实现五电平线电压输出，能够产生更少的谐波、损耗更低且能有效降低开关的电压应力、提高负载功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属电力电子与电机控制，具体涉及一种三相全桥级联的多电平逆变器拓扑结构。

技术介绍

1、随着科技的发展，各类电力电子器件与主控产品逐渐升级，给电机控制带来了更多的可能，多电平逆变技术的应用是在研究逆变器高效率、高可靠性、高输出质量方面的一种发展趋势。在逆变器输出波形中引入更多的电平，从而减小输出波形的失真度和谐波含量，提高逆变器输出的质量，同时还可以实现更高的输出电压和功率。多电平逆变技术相比传统二电平逆变技术具有更高的输出波形质量，更低的谐波含量和更小的失真度；能够提供更高的输出电压和功率，适用范围更广；降低了对逆变器输出滤波器的要求，减小了滤波器的体积和成本；提高了逆变器的效率，降低了能量损耗，减少了冷却系统的负担，延长了设备的寿命。但是多电平逆变技术的应用需要更多的开关器件，增加了系统成本和复杂度；需要更复杂的控制策略，提高了控制难度和成本。

2、传统五电平级联h桥拓扑需要六个独立的电源对系统进行供电方可正常工作，因此需要更高的研发与生产成本，整体运行需要六个h桥模块进行接线连接，形成级联结构驱动负载工作，模块搭建复杂，不易集成操本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三相全桥级联的多电平逆变器拓扑结构，其特征在于包括：由四个三相全桥逆变器级联构成五电平逆变器，四个直流电压源V1、V2、V3、V4和交流电机M；其中，每个全桥逆变器包括6个IGBT，第一级逆变器的6个IGBT分别为S11、S12、S13、S14、S15、S16，第二级逆变器的6个IGBT分别为S21、S22、S23、S24、S25、S26，第三级逆变器的6个IGBT分别为S31、S32、S33、S34、S35、S36，第四级逆变器的6个IGBT分别为S41、S42、S43、S44、S45、S46，四个直流电压源V1、V2、V3、V4分别为每一级逆变器供电，电源V1的正极与电源V2...

【技术特征摘要】

1.一种三相全桥级联的多电平逆变器拓扑结构，其特征在于包括：由四个三相全桥逆变器级联构成五电平逆变器，四个直流电压源v1、v2、v3、v4和交流电机m；其中，每个全桥逆变器包括6个igbt，第一级逆变器的6个igbt分别为s11、s12、s13、s14、s15、s16，第二级逆变器的6个igbt分别为s21、s22、s23、s24、s25...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘景林，肖明朗，李蒙岐，卢芷蔓，石欣然，杨嵛媛，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：