一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，包括DC/DC模块、线性调节模块、负压生成模块和输出级模块；所述DC/DC模块将直流电压通过开关管、变压器、二极管和电容的的组合实现“直流‑交流‑直流”的功率变换；所述线性调节模块将DC/DC模块输出的直流通过分压采样反馈，控制串联MOSFET开关管工作在线性区实现输出驱动电压范围跟随给定的参考电压；所述负压生成模块将驱动电压通过稳压二极管、电阻、电容的组合实现正电压与负电压的生成。本发明专利技术通过引入负反馈线性调节与负压生成电路，实现了负压驱动的可调节性，满足空间环境中不同强度干扰条件下的驱动需求，提高了驱动的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路。

技术介绍

1、随着宽禁带半导体器件的发展，以碳化硅、氮化镓、氧化镓等材料为代表的第三代半导体器件具备宽禁带宽度、高电子饱和迁移率的特性，能够承受更高的开关速度，且具备更低的导通电阻和更强的抗辐照能力，在空间应用中具有独特的优势。

2、但是，宽禁带器件相比传统的硅基器件，由于其开关速度较快，对驱动的速度和可靠性提出了更高的要求。为了提高抗辐照能力和可靠性，驱动一般都采用分立器件搭建，但是传统的驱动电路配置较为简单，不具备驱动电压调整和负压驱动的能力，无法适应宽禁带器件对驱动的需求。因此，亟需一种配置灵活、可靠性高，符合空间应用要求的宽禁带器件隔离驱动电路。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，以克服现有驱动不能满足空间应用中宽禁带器件的驱动问题。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：提供一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，包括dc/dc模块、线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，其特征在于，包括DC/DC模块、线性调节模块、负压生成模块和输出级模块；

2.如权利要求1所述的基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，其特征在于，所述DC/DC模块包括N型MOSFET开关管Q1和开关管Q2；所述开关管Q1和开关管Q2的漏极分别连接变压器T1原边的两端，开关管Q1和开关管Q2的源极接地；所述变压器T1原边中间抽头部分连接电压源V1，所述变压器T1副边一端连接二极管D1阳极和二极管D2阴极，一端连接电容C1和电容C2，电容C1的另一端连接二极管D1阴极，二极管D2阳极记为节点C，电容C2的另一端连接节点C；所述变压器...

【技术特征摘要】

1.一种基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，其特征在于，包括dc/dc模块、线性调节模块、负压生成模块和输出级模块；

2.如权利要求1所述的基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，其特征在于，所述dc/dc模块包括n型mosfet开关管q1和开关管q2；所述开关管q1和开关管q2的漏极分别连接变压器t1原边的两端，开关管q1和开关管q2的源极接地；所述变压器t1原边中间抽头部分连接电压源v1，所述变压器t1副边一端连接二极管d1阳极和二极管d2阴极，一端连接电容c1和电容c2，电容c1的另一端连接二极管d1阴极，二极管d2阳极记为节点c，电容c2的另一端连接节点c；所述变压器t1的原副边变比为n:1，使得：

3.如权利要求2所述的基于分立器件的宽禁带器件隔离驱动电路，其特征在于，所述线性调节模块包含n型mosfet开关管q3；所述开关管q3漏极连接二极管d1阴极，开关管q3源极为节点a，运放op1的输出作为开关管q3的开关信号，运放op1的正端连接电压源vref，运放op1的负端连接反馈阻抗zfb，反馈阻抗zfb另一端连接运放op1的输出，电阻r1两端连接节点a和电阻r2，电阻r2另一端连接节点c，电阻r1和电阻r2连接点电压vfb和节点a的电压va满...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱子锐，刘涛，蒋丛让，徐墨尘，杨亚红，杨华，
申请(专利权)人：上海空间电源研究所，
类型：发明
国别省市：