System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示面板及其制备方法、电子设备及面板亮点修复方法技术_技高网

显示面板及其制备方法、电子设备及面板亮点修复方法技术

技术编号:40578048 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-06 17:20
本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、电子设备及面板亮点修复方法。该显示面板包括:基板;发光层,设置在所述基板之上;高能截止层,设置在所述发光层之上;阴极层,设置在所述高能截止层之上。本公开实施例,可以在修复面板亮点的情况下保护面板的封装结构不受损。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、电子设备及面板亮点修复方法


技术介绍

1、随着元宇宙技术的蓬勃发展,人机界面成为连接现实世界与数字化宇宙之间的重要窗口。其中,硅基oled微型显示器为下一代穿戴产品中重要的关键零组件,其需要具备高解析度、高亮度等高品质的显示特性,因而,需要确保显示器的电学与光学的稳定性。这就意味着,对于由器件缺陷或颗粒物造成的显示缺陷,如像素沾粘与亮点,是高品质的显示器所不能接受的。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种显示面板及其制备方法、电子设备及面板亮点修复方法,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一个方面,本公开实施例提供一种显示面板,包括:

3、基板;

4、发光层,设置在所述基板之上;

5、高能截止层,设置在所述发光层之上;

6、阴极层,设置在所述高能截止层之上;

7、其中,所述高能截止层的吸光率高于所述金属氧化膜和所述发光层的吸光率。

8、在一些可能的实现方式中,所述高能截止层与所述发光层之间设置有第一传输电子材料层。

9、在一些可能的实现方式中,所述高能截止层与所述阴极层之间设置有第二传输电子材料层。

10、在一些可能的实现方式中,所述高能载止层的材料为金属或由金属与有机材料组成的复合物。

11、在一些可能的实现方式中,所述金属的材料为以下其中之一:钛、银、铝、金、镱、钙或镁银合金。

12、在一些可能的实现方式中,所述复合物中的金属的掺杂浓度大于等于百分之十。

13、在一些可能的实现方式中,所述高能截止层的厚度为d,0<d≤10nm。

14、在一些可能的实现方式中,所述阴极层为金属氧化膜或金属膜。

15、作为本公开实施例的第二个方面,本公开实施例提供一种显示面板的制备方法,包括:

16、在基板的一侧形成发光层;

17、在所述发光层远离所述基板的一侧形成高能截止层;

18、在所述高能截止层远离所述基板的一侧形成阴极层;其中,所述高能截止层的吸光率高于所述金属氧化膜和所述发光层的吸光率。

19、在一些可能的实现方式中,所述在所述发光层远离所述基板的一侧形成高能截止层,包括:

20、在所述发光层远离所述基板的一侧形成第一传输电子材料层;

21、在所述第一传输电子材料层背离所述发光层的一侧形成所述高能截止层。

22、在一些可能的实现方式中,所述在所述高能截止层远离所述基板的一侧形成阴极层,包括:

23、在所述高能截止层远离所述基板的一侧形成第二传输电子材料层;

24、在所述第二传输电子材料层背离所述高能截止层的一侧形成所述阴极层。

25、在一些可能的实现方式中,所述高能载止层的材料为金属或由金属与有机材料组成的复合物。

26、在一些可能的实现方式中,所述金属的材料为以下其中之一:钛、银、铝、金、镱、钙或镁银合金。

27、在一些可能的实现方式中,所述复合物中的金属的掺杂浓度大于等于百分之十。

28、在一些可能的实现方式中,所述高能截止层的厚度为d,0<d≤10nm。

29、在一些可能的实现方式中,所述阴极层为金属氧化膜或金属膜。

30、作为本公开实施例的第三个方面,本公开实施例提供一种电子设备,包括本公开实施例任意一项所述的显示面板。

31、作为本公开实施例的第四个方面,本公开实施例提供一种面板亮点修复方法,该方法包括:

32、在本公开任一实施例的显示面板存在亮点的情况下,确定所述亮点对应在阴极层上的目标位置,并采用激光对所述目标位置进行照射,以使所述亮点变为暗点。

33、本公开实施例提供的技术方案,在发光层与阴极层之间设置一层吸光率高于发光层和阴极层的高能截止层,从而在采用激光修复亮点时,高能截止层能够吸收高能量激光,避免显示面板的包括发光层及以下的封装结构受损。

34、上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

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【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层与所述发光层之间设置有第一传输电子材料层。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层与所述阴极层之间设置有第二传输电子材料层。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能载止层的材料为金属或由金属与有机材料组成的复合物。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述金属的材料为以下其中之一:钛、银、铝、金、镱、钙或镁银合金。

6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述复合物中的金属的掺杂浓度大于等于百分之十。

7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层的厚度为d,0<d≤10nm。

8.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层为金属氧化膜或金属膜。

9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述发光层远离所述基板的一侧形成高能截止层,包括:

11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述在所述高能截止层远离所述基板的一侧形成阴极层,包括:

12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述高能载止层的材料为金属或由金属与有机材料组成的复合物。

13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述金属的材料为以下其中之一:钛、银、铝、金、镱、钙或镁银合金。

14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述复合物中的金属的掺杂浓度大于等于百分之十。

15.根据权利要求9至14任一项所述的方法,其特征在于,所述高能截止层的厚度为d,0<d≤10nm。

16.根据权利要求9至15任一项所述的方法,其特征在于,所述阴极层为金属氧化膜或金属膜。

17.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1至8中任意一项所述的显示面板。

18.一种面板亮点修复方法,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层与所述发光层之间设置有第一传输电子材料层。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层与所述阴极层之间设置有第二传输电子材料层。

4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高能载止层的材料为金属或由金属与有机材料组成的复合物。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述金属的材料为以下其中之一:钛、银、铝、金、镱、钙或镁银合金。

6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述复合物中的金属的掺杂浓度大于等于百分之十。

7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板,其特征在于,所述高能截止层的厚度为d,0<d≤10nm。

8.根据权利要求1至7任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层为金属氧化膜或金属膜。

9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:李育豪王辉陈小川李健通童慧吴操李玉垒黄冠达杨越卜维亮
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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