【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种半导体装置，该半导体装置包括具有氧化区域的间隔件结构。
技术介绍
1、随着半导体装置的集成密度已经增加，互连件之间的间隔已经变窄。随着互连件之间的间隔变窄，电信号的传输速度可能由于rc延迟而降低。
技术实现思路
1、示例性实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括减小导电图案之间的寄生电容的间隔件结构。
2、示例性实施例提供了一种制造上述半导体装置的方法。
3、根据示例性实施例，半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域，并且内部氧化区域中的氧浓度具有氧浓度在远离气隙的方向上降低的梯度。
4、根据示例性实施例，半导体装置包括导电图案和设置在导电图案的侧表面上的间隔件结构。间隔件结构包括与导电图案的侧表面接触的内部间隔件、与导电图案的侧表面间隔开的外部间隔件、以及设置在内部间隔件与外部间隔件之间的气隙。内部间隔件包括被气隙暴露的内部氧化区域，并且外部间隔件包括被气隙暴露的外部氧化区域和与外部氧化区域接触的外部非氧化区域。
5、根据示例性实施例，半导体装置包括：有源区域；隔离区域，设置在有源区域的侧表面上；栅极结构，设置在栅极沟槽中，栅极沟槽与有源区域交叉并延伸到隔离区域中；第一杂质区域和第二杂质区域，与栅极结构相邻地设置在有
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，
12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，
16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，
17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，
18.一种半导体装
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，
20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：金台原，朴舒禧，卓容奭，姜旻炅，许埈宁，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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