一种双发光组件及一种光模块制造技术

技术编号:40565718 阅读:20 留言:0更新日期:2024-03-05 20:51
本技术提出了一种双发光组件及一种光模块,该双发光组件至少包括壳体、半导体制冷器、第一波长COC基板、第二波长COC基板、第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一透镜、第二透镜及合波器,其中:第一激光器芯片设置于第一波长COC基板,第二激光器芯片设置于第二波长COC基板;半导体制冷器包括一个下基板和分立设置的第一上基板、第二上基板;下基板固定于壳体;第一波长COC基板、第一透镜设置于第一上基板上,第二波长COC基板、第二透镜设置于第二上基板上。本双发光组件能分别对第一激光器芯片、第二激光器芯片的温度进行控制,且便于耦合第一透镜、第二透镜的高度,能保证双发光组件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光器件,特别涉及一种双发光组件及一种光模块。


技术介绍

1、光发射组件主要用于将电信号转化成光信号(e/o转换),一般包括半导体致冷器、透镜、coc基板(chip on carrier,可承载芯片的基板,可以为氮化铝等材料)、激光器芯片(ld芯片)、光探测器芯片(mpd芯片)等器件。对于应用于不同通信场景而采用box封装的双激光器芯片的双发光组件,现有产品结构一般是两激光芯片、透镜、光探测器芯片(mpd芯片)等器件直接设置在一个半导体致冷器上。


技术实现思路

1、在实际应用中,专利技术人发现现有双发光组件还存在性能不佳的情况,因此有必要研发出工作性能更好的双发光组件。本技术提出的技术方案如下:

2、一种双发光组件,至少包括壳体、半导体制冷器、第一波长coc基板、第二波长coc基板、第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一透镜、第二透镜及合波器,其中:

3、所述第一激光器芯片设置于所述第一波长coc基板,所述第二激光器芯片设置于所述第二波长coc基板;

4、所述半导体制冷器包括一个下基板和分立设置的第一上基板、第二上基板,各上基板和下基板之间都设有热电粒子;

5、所述下基板固定于所述壳体;

6、所述第一波长coc基板、所述第一透镜设置于所述第一上基板上,所述第二波长coc基板、所述第二透镜设置于所述第二上基板上,所述合波器设置于所述第一上基板或所述第二上基板。

7、进一步的,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上还设有转接电路块,所述第二波长coc基板通过金线与所述转接电路块连接,所述转接电路块还通过金线与所述引脚连接。

8、进一步的,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上镀设有用于转接的电路线路,所述第二波长coc基板通过金线与所述电路线路连接,所述电路线路还通过金线与所述引脚连接。

9、进一步的,所述第一激光器芯片的工作频率所述大于第二激光器芯片,所述壳体上设置有高频调制引脚,所述第一波长coc基板上设置有所述第一高频调制焊盘,所述第一激光器芯片包括第二高频调制焊盘,所述第一高频调制焊盘与所述第二高频调制焊盘通过打线连接,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚电连接。

10、进一步的,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚通过多根金线连接。

11、进一步的,所述高频调制引脚为加宽结构,所述第一波长coc基板上还设置有电路转接基板,该电路转接基板的一端共晶焊接于所述第一高频调制焊盘,另一端共晶焊接于所述高频调制引脚。

12、进一步的,所述高频调制引脚为加宽结构,所述第一高频调制焊盘的侧面设有镀金,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚间共晶焊接。

13、进一步的,所述第一高频调制焊盘的侧面的镀金高度为所述第一波长coc基板的一半。

14、进一步的,所述双发光组件还包括第一支架、第二支架,所述第一透镜焊接于所述第一支架内部,所述第二透镜焊接于所述第二支架内部,所述第一支架、所述第二支架分别位于所述第一上基板和所述第二上基板上。

15、另一方面,本技术还公开了一种包含上述双发光组件的光模块。

16、基于上述技术方案,本专利技术较现有技术而言的有益效果为:

17、本双发光组件的半导体制冷器包括一个下基板和分立设置的第一上基板、第二上基板采用共用下基板,第一激光器芯片设置于第一波长coc基板,第二激光器芯片设置于第二波长coc基板,第一波长coc基板、第一透镜设置于第一上基板上,第二波长coc基板、第二透镜设置于第二上基板上。由于第一波长coc基板、第二波长coc基板是分别设置于第一上基板、第二上基板的,因此能分别对第一激光器芯片、第二激光器芯片的温度进行控制,以保证不同的激光器芯片均能处于最佳性能或者发射波长稳定性最好。而第一波长coc基板与第一透镜布置在第一上基板,第二波长coc基板与第二透镜布置在第二上基板,能保证第一透镜与第一波长coc基板之间、第二透镜与第二波长coc基板之间的高度一致性,便于耦合第一透镜、第二透镜的高度,保证双发光组件的性能。

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【技术保护点】

1.一种双发光组件,其特征在于,至少包括壳体、半导体制冷器、第一波长COC基板、第二波长COC基板、第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一透镜、第二透镜及合波器,其中:

2.如权利要求1所述的双发光组件,其特征在于,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上还设有转接电路块,所述第二波长COC基板通过金线与所述转接电路块连接,所述转接电路块还通过金线与所述引脚连接。

3.如权利要求1所述的双发光组件,其特征在于,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上镀设有用于转接的电路线路,所述第二波长COC基板通过金线与所述电路线路连接,所述电路线路还通过金线与所述引脚连接。

4.如权利要求2或3所述的双发光组件,其特征在于,所述第一激光器芯片的工作频率大于所述第二激光器芯片,所述壳体上设置有高频调制引脚,所述第一波长COC基板上设置有第一高频调制焊盘,所述第一激光器芯片包括第二高频调制焊盘,所述第一高频调制焊盘与所述第二高频调制焊盘通过打线连接,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚电连接。

5.如权利要求4所述的双发光组件,其特征在于,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚通过多根金线连接。

6.如权利要求4所述的双发光组件,其特征在于,所述高频调制引脚为加宽结构,所述第一波长COC基板上还设置有电路转接基板,该电路转接基板的一端共晶焊接于所述第一高频调制焊盘,另一端共晶焊接于所述高频调制引脚。

7.如权利要求4所述的双发光组件,其特征在于,所述高频调制引脚为加宽结构,所述第一高频调制焊盘的侧面设有镀金,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚间共晶焊接。

8.如权利要求7所述的双发光组件,其特征在于,所述第一高频调制焊盘的侧面的镀金高度为所述第一波长COC基板的一半。

9.如权利要求1至3任一所述的双发光组件,其特征在于,所述双发光组件还包括第一支架、第二支架,所述第一透镜焊接于所述第一支架内部,所述第二透镜焊接于所述第二支架内部,所述第一支架、所述第二支架分别位于所述第一上基板和所述第二上基板上。

10.一种光模块,其特征在于,包含权利要求1至9任一的双发光组件。

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【技术特征摘要】

1.一种双发光组件,其特征在于,至少包括壳体、半导体制冷器、第一波长coc基板、第二波长coc基板、第一激光器芯片、第二激光器芯片、第一透镜、第二透镜及合波器,其中:

2.如权利要求1所述的双发光组件,其特征在于,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上还设有转接电路块,所述第二波长coc基板通过金线与所述转接电路块连接,所述转接电路块还通过金线与所述引脚连接。

3.如权利要求1所述的双发光组件,其特征在于,所述壳体上设置有若干引脚,所述第一上基板上镀设有用于转接的电路线路,所述第二波长coc基板通过金线与所述电路线路连接,所述电路线路还通过金线与所述引脚连接。

4.如权利要求2或3所述的双发光组件,其特征在于,所述第一激光器芯片的工作频率大于所述第二激光器芯片,所述壳体上设置有高频调制引脚,所述第一波长coc基板上设置有第一高频调制焊盘,所述第一激光器芯片包括第二高频调制焊盘,所述第一高频调制焊盘与所述第二高频调制焊盘通过打线连接,所述第一高频调制焊盘与所述高频调制引脚电连接。

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【专利技术属性】
技术研发人员:郭隐梅柯健明志文
申请(专利权)人:武汉灿光光电有限公司
类型:新型
国别省市:

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