一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，属于微电子制作技术领域。方法步骤为：S1：在碳化硅衬底上沉积双层所需金属；S2：在金属层上旋涂光刻胶，制备光刻胶阻挡层；S3：对上层金属进行湿法刻蚀，形成上层金属沟槽；S4：纯氧等离子体干法去除光刻胶阻挡层；S5：采用等离子体化学气相沉积方式生长氧化层；S6：以步骤S2相同图形进行套刻，形成新的光刻胶阻挡层；S7：对下层金属进行干法刻蚀；S8：去除表面光刻胶阻挡层。本发明专利技术简单易操作，在降低生产成本的前提下，使得金属刻蚀精度稳定，减小线宽损失，既不进一步放大湿法腐蚀造成的不良影响，也能提高金属层与基底界面质量，获得良好的刻蚀形貌，减小漏电，从而提高器件电学性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，属于微电子制作。

技术介绍

1、碳化硅材料因其高导热性、高击穿电压、耐高温等优异的物理化学性能，成为当下最具发展活力和前景的第三代半导体材料。相比传统硅基衬底，碳化硅材料在高功率、高频和高温领域具有明显的优势，拥有巨大的市场空间。目前随着新能源汽车领域的蓬勃兴起，在逆变器模块、大功率充电设备方面，碳化硅取代硅基已成主流发展方向。

2、从碳化硅器件方面而言，金属薄膜的形成和腐蚀对器件性能起着关键作用。目前腐蚀金属薄膜主要有两种方法：一种是通过配比一定组成和浓度的溶液进行湿法腐蚀，另一种是通过等离子体干法刻蚀金属。前者生产成本低，但因溶剂腐蚀的各向同性导致难以控制精度，腐蚀后在界面处的金属残留会影响器件性能。后者刻蚀精度高，保证界面处整洁但成本较高，且多种金属刻蚀时，存在交叉污染、机台保养和寿命低等问题。

3、在碳化硅半导体器件的应用中，金属的选择目前已从只用一种金属向多金属或合金研究方向发展，如用多层金属结构改善肖特基势垒的不均匀性，或者用多层金属改善欧姆接触部分的粘附性。因此，双层甚至本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤如下：

2.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中，双层金属中上层金属为Al，下层金属为Ti；或上层金属为Ni，下层金属为Ti；或上层金属为Ni，下层金属为W。

3.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤S2和步骤S6中的光刻胶阻挡层厚度相同，均为1000nm---3000nm。

4.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤S3中，金属腐蚀混合液中磷酸：醋酸：硝酸：水体积比＝4：4：1：1，腐蚀温度为40℃。

<...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤如下：

2.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤s1中，双层金属中上层金属为al，下层金属为ti；或上层金属为ni，下层金属为ti；或上层金属为ni，下层金属为w。

3.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤s2和步骤s6中的光刻胶阻挡层厚度相同，均为1000nm---3000nm。

4.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤s3中，金属腐蚀混合液中磷酸：醋酸：硝酸：水体积比＝4：4：1：1，腐蚀温度为40℃。

5.如权利要求1所述的碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，其特征在于，步骤s7中，在光刻暴露区域采用干法刻蚀下层金属至露出衬底。

6.如权利要求1所述的碳化硅器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟宇，苑登文，韩吉胜，汉多科·林纳威赫，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：