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本发明涉及一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法，属于微电子制作技术领域。方法步骤为：S1：在碳化硅衬底上沉积双层所需金属；S2：在金属层上旋涂光刻胶，制备光刻胶阻挡层；S3：对上层金属进行湿法刻蚀，形成上层金属沟槽；S4：纯氧等离子体干法去除光...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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