【技术实现步骤摘要】
本公开大体涉及半导体装置组合件，且更特定来说，涉及具有共面互连结构的半导体装置组合件及其制造方法。
技术介绍
1、微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的非常小的组件的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的非常小的接合垫的阵列。接合垫是外部电触点，电源电压、信号等通过所述外部电触点传输到集成电路系统或从集成电路系统传输。在形成裸片后，所述裸片被“封装”以将接合垫耦合到更大的电端子阵列，所述电端子阵列可更容易地耦合到各种电源线、信号线及接地线。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合垫电耦合到引线阵列、球垫或其它类型的电端子，及囊封裸片以保护其免受环境因素(例如，湿气、微粒、静电及物理冲击)的影响。
技术实现思路
1、在一方面中，本公开涉及一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其包含：内表面及外表面；多个半导体装置，其安置在所述内表面上；中央互连结构，其安置在所述内表面上的所述半导体装置之间，所述中央互连结构包含：多个导体及由介电材料组成的护套，所述护套围绕并电隔离所述多个导体中的每一者，所述多个导体中的每一者电耦合到所述多个半导体装置中的对应一者；多个外围互连结构，其安置在所述内表面上的所述半导体装置周围，所述多个外围互连结构中的每一者电耦合到所述半导体装置中的至少一者；及囊封剂材料，其至少部分地囊封所述装置及所述互连件，其中所述囊封剂包括与所述介电材料不同的材料。
2、在另一方面中，本公开涉及一种半导体装置组合件，其包括：第一子组合件，其包含：
3、在另一方面中，本公开涉及一种形成半导体装置组合件的方法，所述方法包括：在衬底的内表面上安置多个半导体装置；在所述衬底的所述内表面上的所述半导体装置之间安置中央互连结构，所述中央互连件具有多个导体及由介电材料的组成的护套，所述护套围绕并电隔离所述多个导体的每一者；将所述中央互连结构的所述多个导体中的每一者电耦合到所述多个半导体装置中的对应装置；在所述内表面上的所述半导体装置周围安置多个外围互连结构；将所述外围互连结构中的每一者电耦合到所述多个半导体装置中的至少一者；及用囊封剂材料至少部分囊封所述装置及所述互连件，其中所述囊封剂包括与所述介电材料不同的材料。
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1.一种半导体装置组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围互连结构包含被由介电材料组成的护套围绕的导体。
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底的所述外表面不包含任何导电表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中央互连结构或所述多个外围互连结构延伸到所述囊封剂材料的顶部表面，或者所述两者都延伸到所述囊封剂材料的顶部表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中央互连件的所述多个导体中的每一者通过(i)从所述导体的顶部表面延伸到所述对应半导体装置的顶部表面的引线接合，或者(ii)所述衬底中从所述导体的底部表面延伸到所述对应半导体装置的底部表面的导电结构耦合到所述多个半导体装置中的所述对应一者。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围及中央互连结构中的每一者进一步包含电耦合到所述衬底的所述内表面的接触垫。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围及中央互连结构中的每一者进一步包括：
8.根据权
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围互连结构中的每一者具有第一高度，所述中央互连结构具有第二高度，且所述多个半导体装置中的每一者具有第三高度，且其中(i)所述第一高度大于所述第二及第三高度，或者(ii)所述第二高度大于所述第一及第三高度。
10.一种半导体装置组合件，其包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其进一步包括所述多个第一及第二半导体装置之间的间隙，所述间隙至少部分地填充有所述囊封剂材料。
12.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第一中央互连结构通过多个第一焊料接头电耦合到所述第二中央互连件，且其中所述第一外围互连结构中的每一者通过对应的第二焊料接头电耦合到对应的第二外围互连结构。
13.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二外表面不包含任何外部连接。
14.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二中央互连件包含多个导体及由介电材料组成的护套，所述护套围绕并电隔离所述多个导体中的每一者，所述多个导体中的每一者耦合到所述多个第二半导体装置中的对应一者。
15.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二外围互连结构通过延伸穿过所述衬底的迹线电耦合到所述第二中央互连件。
16.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述多个第二外围互连结构中的每一者电耦合到所述第二半导体装置中的至少一者。
17.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二中央互连件的所述多个导体中的每一者通过(i)从所述导体的顶部表面延伸到所述对应半导体装置的顶部表面的引线接合，或者(ii)所述第二衬底中从所述导体的底部表面延伸到所述对应第二半导体装置的底部表面的导电结构耦合到所述多个第二半导体装置中的所述对应一者。
18.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第一外表面包含外部连接件，所述外部连接件连接到所述第一中央互连结构、所述第一外围互连结构或所述多个第一半导体装置中的至少一者。
19.一种形成半导体装置组合件的方法，所述方法包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述半导体装置组合件是第一半导体装置组合件，所述衬底是第一衬底，所述多个半导体装置第一多个半导体装置，所述中央互连结构是第一中央互连结构，所述多个外围互连结构是多个第一外围互连结构，其中所述第一衬底形成所述组合件的第一最外侧，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组合件，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围互连结构包含被由介电材料组成的护套围绕的导体。
3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底的所述外表面不包含任何导电表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中央互连结构或所述多个外围互连结构延伸到所述囊封剂材料的顶部表面，或者所述两者都延伸到所述囊封剂材料的顶部表面。
5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中央互连件的所述多个导体中的每一者通过(i)从所述导体的顶部表面延伸到所述对应半导体装置的顶部表面的引线接合，或者(ii)所述衬底中从所述导体的底部表面延伸到所述对应半导体装置的底部表面的导电结构耦合到所述多个半导体装置中的所述对应一者。
6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围及中央互连结构中的每一者进一步包含电耦合到所述衬底的所述内表面的接触垫。
7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围及中央互连结构中的每一者进一步包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述中央及外围互连结构将所述多个半导体装置彼此电耦合，或者电耦合到所述衬底，或者电耦合到所述两者。
9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述外围互连结构中的每一者具有第一高度，所述中央互连结构具有第二高度，且所述多个半导体装置中的每一者具有第三高度，且其中(i)所述第一高度大于所述第二及第三高度，或者(ii)所述第二高度大于所述第一及第三高度。
10.一种半导体装置组合件，其包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其进一步包括所述多个第一及第二半导体装置之间的间隙，所述间隙至少部分地填充有所述囊封剂材料。
12.根据权利要求10所述的...
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