【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着用于在基板上单层地形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括字线和选择线，栅极结构包括用于暴露出各条选择线的第一焊盘阶梯结构和用于暴露出选择线的公共焊盘结构；接触插塞，其通过第一焊盘阶梯结构分别连接至选择线；以及一个或更多个公共接触插塞，其通过公共焊盘结构共同连接到选择线。
2、在实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构，其包括第一选通线和第二选通线；第一接触插塞，其连接到第一选通线；第二接触插塞，其连接到第二选通线；以及公共接触插塞，其共同连接到第一选通线和第二选通线。通过第一接触插塞、第二接触插塞和公共接触插塞共同向第一选通线和第二选通线施加偏压。
3、根据本公开，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；在层叠物中形成暴露出各个第一材料层的第一焊盘阶梯结构；在层叠物中形成暴露出第一材料层的公共焊盘结构；形成通过第一焊盘阶梯结构分别连接到第一材料层的接触插塞；以及形成通过公共焊盘结构共同连接到第一材料层的一个或更多个公共接触插塞。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一焊盘阶梯结构具有其中所述选择线的第一侧壁彼此间隔开的结构。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞分别连接到所述选择线的通过所述第一焊盘阶梯结构暴露出的上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共焊盘结构具有其中所述选择线的第二侧壁彼此对齐的结构。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞共同连接到所述选择线的第二侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共焊盘结构具有其中所述选择线当中的最下端的选择线的上表面被暴露并且其余选择线的第二侧壁彼此对齐的结构。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞共同连接到所述最下端的选择线的上表面和所述其余选择线的所述第二侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞具有比所述接触插塞的宽度更大的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞在第
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括第二焊盘阶梯结构，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括虚设阶梯结构，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，选择晶体管位于所述沟道结构和所述选择线彼此交叉的区域中。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，当操作所述选择晶体管时，通过所述接触插塞和所述公共接触插塞共同向所述选择线施加偏压。
15.一种半导体装置，该半导体装置包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括：
17.根据权利要求15所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管由所述偏压共同驱动。
20.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第一选通线和所述第二选通线各自为漏极选择线或源极选择线。
21.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，形成所述公共焊盘结构的步骤包括以下步骤：
23.根据权利要求22所述的制造方法，其中，所述第二阶梯结构各自包括暴露出各个所述第一材料层的第二焊盘阶梯结构。
24.根据权利要求22所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求24所述的制造方法，其中，所述第三阶梯结构各自包括暴露出各个所述第一材料层的第三焊盘阶梯结构。
26.根据权利要求24所述的制造方法，其中，所述第三阶梯结构各自包括连接到所述公共焊盘结构的虚设阶梯结构。
27.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述第一焊盘阶梯结构具有其中所述第一材料层的第一侧壁彼此间隔开的结构。
28.根据权利要求27所述的制造方法，其中，所述接触插塞分别连接到所述第一材料层的通过所述第一焊盘阶梯结构暴露出的上表面。
29.根据权利要求21所述的制造方法，其中，所述公共焊盘结构具有其中所述第一材料层的第二侧壁彼此对齐的结构。
30.根据权利要求21所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
31.根据权利要求30所述的制造方法，其中，所述第一焊盘阶梯结构和所述公共焊盘结构被定位为彼此面对并且所述沟道结构插置于所述第一焊盘阶梯结构和所述公共焊盘结构之间。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一焊盘阶梯结构具有其中所述选择线的第一侧壁彼此间隔开的结构。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞分别连接到所述选择线的通过所述第一焊盘阶梯结构暴露出的上表面。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共焊盘结构具有其中所述选择线的第二侧壁彼此对齐的结构。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞共同连接到所述选择线的第二侧壁。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共焊盘结构具有其中所述选择线当中的最下端的选择线的上表面被暴露并且其余选择线的第二侧壁彼此对齐的结构。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞共同连接到所述最下端的选择线的上表面和所述其余选择线的所述第二侧壁。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述公共接触插塞具有比所述接触插塞的宽度更大的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞在第一方向上布置，并且所述公共接触插塞在与所述第一方向交叉的第二方向上布置。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括第二焊盘阶梯结构，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述栅极结构包括虚设阶梯结构，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，选择晶体管位于所述沟道结构和所述选择线彼此交叉的区域中。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，当操作所述选择晶体管时，通过所述接触插塞和所述公共接触插塞共同向所述选择线施加偏压。
15.一种半导体装置，该半导体装置包括：
16.根据权利要求15所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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