【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种晶圆光刻过程的状态监测方法及系统。
技术介绍
1、公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本公开总体
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术中提供了一种晶圆光刻过程的状态监测方法及系统，从而有效解决
技术介绍
中所指出的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：
3、一种晶圆光刻过程的状态监测方法，所述方法包括：
4、构建所述晶圆光刻过程的问题场景，并设置所述问题场景中的各问题维度；
5、针对各所述问题维度分别选择维度参数，并设定各所述维度参数的安全区间；
6、安装针对各所述维度参数的传感器，并构建传感器网络；
7、获取所述传感器网络的参数数据，并进行特征提取；
8、构建异常监测模型，对实时参数数据进行监测；
9、根据所述安全区间和模型输出判断所述晶圆光刻过程的状态，...
【技术保护点】
1.一种晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，构建所述晶圆光刻过程的问题场景，并设置所述问题场景中的问题维度，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述问题维度包括：曝光控制维度和位置精度维度。
4.根据权利要求3所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述曝光控制维度的维度参数为曝光时间和光源功率，所述位置精度维度的维度参数为对准精度、定位误差和定位重复性。
5.根据权利要求1所述的晶圆光刻过程的状...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，构建所述晶圆光刻过程的问题场景，并设置所述问题场景中的问题维度，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述问题维度包括：曝光控制维度和位置精度维度。
4.根据权利要求3所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，所述曝光控制维度的维度参数为曝光时间和光源功率，所述位置精度维度的维度参数为对准精度、定位误差和定位重复性。
5.根据权利要求1所述的晶圆光刻过程的状态监测方法，其特征在于，安装针对各所述维度参数的传感器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾斌杰，顾创垄，
申请(专利权)人：江苏圣创半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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