【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
1、激光器是利用受激辐射原理使光在某些受激发的物质中放大或震荡发射的器件。垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel)是一种半导体激光器，其激光出射方向垂直于外延平面射出，相比于一般激光由边缘射出(出射方向平行于外延方向)的边发射型激光而言，具有远场发散角小、易于光纤耦合、阈值电流小、带宽高以及测试效率高等优点。
2、垂直腔面发射激光器的外延结构一般包括衬底、n型dbr(distributed braggreflection，分布式拉布拉格反射器)层、量子阱和p型dbr层。在制造过程中，需要刻蚀以形成贯穿p型dbr层、量子阱层和n型dbr层的沟槽，之后对p型dbr层的侧壁进行氧化。因刻蚀后n型dbr层裸露在空气中，其中所含的高al组分易被氧化及受酸碱腐蚀，使产品结构不稳定，防水性差，影响产品长时间可靠性。
3、因此，需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、针对目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种半导体器件的制备方法，包括：
3、
4、形成贯穿所述p型dbr层、所述量子阱层和所述n型dbr层的沟槽；
5、在所述沟槽中形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述n型dbr层的侧壁，并露出所述p型dbr层的侧壁；
6、对所述p型dbr层的侧壁进行氧化。
7、在一个实施例中，所述在所述沟槽中形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述n型dbr层的侧壁，并露出所述p型dbr层的侧壁，包括：
8、形成覆盖所述沟槽的底部和侧壁的硬掩膜层；
9、对所述硬掩膜层进行刻蚀，以去除位于所述p型dbr层的侧壁上的所述硬掩膜层。
10、在一个实施例中，所述方法还包括：
11、对所述硬掩膜层进行刻蚀，以去除位于所述沟槽外部的所述硬掩膜层。
12、在一个实施例中，所述形成贯穿所述p型dbr层、所述量子阱层和所述n型dbr层的沟槽，包括：
13、刻蚀所述p型dbr层和所述量子阱层，以形成延伸至所述n型dbr层的第一沟槽；
14、对所述第一沟槽底部露出的所述n型dbr层进行刻蚀，以形成延伸至所述半导体衬底的第二沟槽，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。
15、在一个实施例中，所述硬掩膜层还覆盖所述第一沟槽底部露出的所述n型dbr层的表面。
16、在一个实施例中，在形成所述沟槽之前，所述方法还包括：
17、在所述p型dbr层上方形成第一欧姆接触层。
18、在一个实施例中，在形成所述第一欧姆接触层之后、形成所述沟槽之前，所述方法还包括：
19、形成覆盖所述第一欧姆接触层的保护层。
20、在一个实施例中，在对所述p型dbr层的侧壁进行氧化之后，所述方法还包括：
21、刻蚀所述沟槽底部的所述硬掩膜层，以露出至少部分所述半导体衬底；
22、在露出的至少部分所述半导体衬底的表面形成第二欧姆接触层。
23、本专利技术另一方面提供一种半导体器件，所述半导体器件采用上述的方法制备获得。
24、本专利技术再一方面还提供一种电子装置，所述电子装置包括上述的半导体器件。
25、本专利技术实施例的半导体器件及其制备方法、电子装置，在刻蚀n型dbr层后对p型dbr层执行氧化工艺，能够避免氧化工艺产生的粉末造成刻蚀表面粗糙，对欧姆接触产生不利影响；并且在刻蚀形成沟槽之后、执行氧化工艺之前，在n型dbr的侧壁上形成硬掩膜层，能够防止n型dbr层被氧化或腐蚀，提升半导体器件的防水性和结构稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述沟槽中形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述N型DBR层的侧壁，并露出所述P型DBR层的侧壁，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述P型DBR层、所述量子阱层和所述N型DBR层的沟槽，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层还覆盖所述第一沟槽底部露出的所述N型DBR层的表面。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述沟槽之前，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一欧姆接触层之后、形成所述沟槽之前，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述P型DBR层的侧壁进行氧化之后，所述方法还包括：
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-8中的任一项所述的方法制备获得。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述沟槽中形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述n型dbr层的侧壁，并露出所述p型dbr层的侧壁，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成贯穿所述p型dbr层、所述量子阱层和所述n型dbr层的沟槽，包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层还覆盖所述第一沟槽底部露出的所述n型dbr层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：何琼，周卫平，张希山，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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