【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种sram器件及其制造方法。
技术介绍
1、静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)是一种具有静止存取功能的内存，其不需要刷新电路即能保存内部存储的数据，因而广泛应用于各种嵌入式系统中。
2、sram的使用区间受限于静态噪声容限(static noise margin，snm)，也称为蝶区(butterfly area)。如果增加vdd(漏极电压)，那么可以增加snm，即蝶区的面积，但是，对于采用cmos工艺的sram来说，如果要增加vdd而不改变vth(阈值电压)，则需要增加栅极结构的长度，从而增加了器件面积。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、针对目前存在的问题，本专利技术实施例一方面提供一种sram器件，所述sram器件包括：
3、半导体衬底；
4、位于所述半导体衬底中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；
5、位于所述第一阱区中的第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂类型；
6、位于所述半导体衬底中的沟槽，所述沟槽中形成有栅极结构，所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第二阱区之间。
7、在一个
8、在一个实施例中，所述sram器件还包括位于所述第一阱区中的第一重掺杂区和位于所述第二阱区中的第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区具有所述第二掺杂类型。
9、在一个实施例中，所述沟槽的深度为1um-2um。
10、本专利技术实施例另一方面提供一种sram器件的制造方法，所述方法包括：
11、提供半导体衬底；
12、在所述半导体衬底中形成沟槽，并在所述沟槽中形成栅极结构；
13、对所述半导体衬底进行第一掺杂类型的离子注入，以在所述半导体衬底中形成第一阱区；
14、对所述半导体衬底进行第二掺杂类型的离子注入，以在所述第一阱区中形成第二阱区，所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第二阱区之间。
15、在一个实施例中，在对所述半导体衬底进行第二掺杂类型的离子注入之后，还包括：
16、执行退火工艺，以激活注入到所述半导体衬底中的掺杂离子。
17、在一个实施例中，所述第二阱区的深度小于所述第一阱区的深度，所述栅极结构的深度小于所述第二阱区的深度。
18、在一个实施例中，所述方法还包括在所述第一阱区中形成第一重掺杂区，以及在所述第二阱区中形成第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区具有所述第二掺杂类型。
19、在一个实施例中，所述沟槽的深度为1um-2um。
20、本专利技术实施例又一方面提供一种电子装置，所述电子装置包括如上所述的sram器件。
21、根据本专利技术所提供的sram器件及其制造方法，采用沟槽栅工艺增加了纵向耗尽距离，可以通过调节第二阱区的掺杂剂量调节vdd而不改变vth，进而增加静态噪声容限，无需增加栅极结构的长度，不会增加sram器件的面积。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种SRAM器件，其特征在于，所述SRAM器件包括：
2.如权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述第二阱区的深度小于所述第一阱区的深度，所述栅极结构的深度小于所述第二阱区的深度。
3.如权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，还包括位于所述第一阱区中的第一重掺杂区和位于所述第二阱区中的第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区具有所述第二掺杂类型。
4.如权利要求1所述的SRAM器件，其特征在于，所述沟槽的深度为1um-2um。
5.一种SRAM器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在对所述半导体衬底进行第二掺杂类型的离子注入之后，还包括：
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二阱区的深度小于所述第一阱区的深度，所述栅极结构的深度小于所述第二阱区的深度。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述第一阱区中形成第一重掺杂区，以及在所述第二阱区中形成第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区具有所
9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度为1um-2um。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1-4中的任一项所述的SRAM器件。
...【技术特征摘要】
1.一种sram器件，其特征在于，所述sram器件包括：
2.如权利要求1所述的sram器件，其特征在于，所述第二阱区的深度小于所述第一阱区的深度，所述栅极结构的深度小于所述第二阱区的深度。
3.如权利要求1所述的sram器件，其特征在于，还包括位于所述第一阱区中的第一重掺杂区和位于所述第二阱区中的第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区具有所述第二掺杂类型。
4.如权利要求1所述的sram器件，其特征在于，所述沟槽的深度为1um-2um。
5.一种sram器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
6.如权利要求5所述的制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄艳，赵晓燕，胡宁宁，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。