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形成具有均匀厚度的混合基板的方法和半导体器件技术

技术编号:40553442 阅读:10 留言:0更新日期:2024-03-05 19:13
公开了形成具有均匀厚度的混合基板的方法和半导体器件。一种半导体器件具有:第一混合基板,其具有第一厚度;和第二混合基板,其具有不同于第一混合基板的第一厚度的第二厚度。包封物被沉积在第一混合基板和第二混合基板周围。在包封之后可以移除第一混合基板的部分和第二混合基板的部分以及包封物的部分,以针对第一混合基板和第二混合基板达成均匀的厚度。第一混合基板具有:嵌入式基板;第一互连结构,其被形成在嵌入式基板的第一表面上方;和第二互连结构,其被形成在与嵌入式基板的第一表面相对的嵌入式基板的第二表面上方。多个导电柱被形成在第一互连结构上方。多个导电过孔通过嵌入式基板而形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件,更具体地说,涉及形成具有均匀厚度的混合基板的方法和半导体器件


技术介绍

1、半导体器件常发现于现代电气产品中。半导体器件执行广泛范围的功能,诸如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电设备、光电、以及创建用于电视显示器的视觉图像。半导体器件发现于通信、电源转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中。半导体器件还发现于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。

2、半导体器件一般包含半导体管芯或基板,其具有形成在半导体管芯或基板的相对表面上方以执行必要电功能的电互连结构。半导体器件在制造期间鉴于半导体器件的厚度或高度而变化,特别是具有多个互连层、导电柱和其它结构。相似半导体器件的厚度上的变化可以是20微米(μm)或更大,使得相似半导体器件在厚度方面不均匀、难以制造并且倾向于有缺陷。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中第一混合基板的第一厚度不同于第二混合基板的第二厚度。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中第一混合基板包括:

4.如权利要求3所述的半导体器件,还包括多个导电柱,其形成在第一互连结构上方。

5.如权利要求3所述的半导体器件,还包括多个导电过孔,其通过嵌入式基板而形成。

6.一种半导体器件,包括:

7.如权利要求6所述的半导体器件,还包括第二混合基板,其包括第二厚度,其中包封物被沉积在第二混合基板周围,以使得在移除第二混合基板的部分时针对第一混合基板和第二混合基板达成均匀的厚度。

8.如权利要求6所述的半导体器件,其中第一混合基板包括:

9.如权利要求8所述的半导体器件,还包括多个导电柱,其被形成在第一互连结构上方。

10.如权利要求8所述的半导体器件,还包括多个导电过孔,其通过嵌入式基板而形成。

11.一种制造半导体器件的方法,包括:

12.如权利要求11所述的方法,还包括:

13.如权利要求11所述的方法,其中提供第一混合基板包括:

14.如权利要求13所述的方法,还包括:在第一互连结构上方形成多个导电柱。

15.如权利要求13所述的方法,还包括:形成通过嵌入式基板的多个导电过孔。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中第一混合基板的第一厚度不同于第二混合基板的第二厚度。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中第一混合基板包括:

4.如权利要求3所述的半导体器件,还包括多个导电柱,其形成在第一互连结构上方。

5.如权利要求3所述的半导体器件,还包括多个导电过孔,其通过嵌入式基板而形成。

6.一种半导体器件,包括:

7.如权利要求6所述的半导体器件,还包括第二混合基板,其包括第二厚度,其中包封物被沉积在第二混合基板周围,以使得在移除第二混合基板的部分时针对第一混合基板和第二混合基板达成均匀的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员:林耀剑蔡佩燕左健高英华
申请(专利权)人:星科金朋私人有限公司
类型:发明
国别省市:

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