【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、可在光子集成电路(pic)中使用光偏振转换器来执行各种功能。光偏振转换器可被设计和制造成在pic内的特定应用中使用。例如，pic可包括用于将第一偏振光期望地转换为第二偏振光的光偏振转换器。
2、期望改进已知的光偏振转换器。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种用于光子集成电路的光偏振转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的光偏振转换器，包括位于所述第一层与所述第二层之间的区域，所述区域的折射率不同于所述波导的折射率，并且所述区域中不存在所述波导。
3.根据权利要求1或2所述的光偏振转换器，所述波导包括第三表面，所述第三表面不与所述第一层或所述第二层接触。
4.根据权利要求4所述的光偏振转换器，所述第一表面相对于所述第三表面成30度至65度、30度至40度、50度至65度、50度至55度、55度至60度或者60度至65度的内角。
5.根据权利要求3或4所述的光偏振转换器，其中，所述波导包括结晶材料，并且所述第三表面相对于所述结晶材料的结晶平面成角度。
6.根据权利要求5所述的光偏振转换器，其中，所述结晶平面是{0-11}、{111}或{112}平面。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述第一层的侧面与所述第二层的侧面在第一平面中共面，所述第三表面至少部分地从所述第一平面偏移。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器
9.根据权利要求8所述的光偏振转换器，其中，所述第四表面垂直于所述第一表面。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述波导的与光传播轴线平行的长度基本上等于奇数乘以输入光的波长的拍长的四分之一。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述第一层的第一部分包括所述第一表面，并且所述第一层的第二部分包括所述第二表面，所述第一层的所述第一部分包括与所述第一层的所述第二部分不同的材料。
12.根据权利要求11所述的光偏振转换器，包括位于所述第一层的所述第一部分与所述第一层的所述第二部分之间的所述第一层的第三部分，使得所述第一层的所述第一部分与所述第一层的所述第三部分接触，并且所述第一层的所述第三部分与所述第一层的所述第二部分接触，所述第一层的所述第三部分包括与所述第一层的所述第一部分或所述第一层的所述第二部分中的至少一者不同的材料。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，包括位于所述第二层上并与所述第二层接触的第三层。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述第一层和所述第二层各自包括磷化铟，并且所述波导包括铟镓砷磷。
15.一种光子集成电路，包括根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器。
16.一种制造根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器的方法。
17.一种光偏振转换器的制造方法，包括：
18.根据权利要求17所述的制造方法，包括：移除以下各者中的至少一者的至少部分：所述第一层的所述前体、所述波导的所述前体，或所述第二层的所述前体。
19.根据权利要求17或18所述的制造方法，包括：
20.根据权利要求19所述的制造方法，包括在形成所述波导之后移除所述保护层的剩余部分。
21.根据权利要求17至20中任一项所述的制造方法，其中，至少部分地形成所述波导包括以下各者中的至少一者：移除所述波导的所述前体的部分、对所述波导的所述前体进行光刻、或蚀刻所述波导的所述前体。
22.根据权利要求17至21中任一项所述的制造方法，所述波导包括第三表面，所述第三表面不与所述第一层或所述第二层接触，所述第一表面与以下各者中的至少一者成角度：
23.根据权利要求17至22中任一项所述的制造方法，其中，以下各者中的至少一者：
24.根据权利要求17至23中任一项所述的制造方法，其中，至少部分地形成所述第一层包括移除所述第一层的所述前体的部分。
25.根据权利要求24所述的制造方法，其中，移除所述第一层的所述前体的所述部分包括：
26.根据权利要求17至25中任一项所述的制造方法，其中，移除所述第一层的所述前体、所述波导的所述前体或者所述第二层的所述前体中的至少一者的至少部分包括移除以下各者的至少部分：所述第一层的所述前体、所述波导的所述前体，以及所述第二层的所述前体。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于光子集成电路的光偏振转换器，包括：
2.根据权利要求1所述的光偏振转换器，包括位于所述第一层与所述第二层之间的区域，所述区域的折射率不同于所述波导的折射率，并且所述区域中不存在所述波导。
3.根据权利要求1或2所述的光偏振转换器，所述波导包括第三表面，所述第三表面不与所述第一层或所述第二层接触。
4.根据权利要求4所述的光偏振转换器，所述第一表面相对于所述第三表面成30度至65度、30度至40度、50度至65度、50度至55度、55度至60度或者60度至65度的内角。
5.根据权利要求3或4所述的光偏振转换器，其中，所述波导包括结晶材料，并且所述第三表面相对于所述结晶材料的结晶平面成角度。
6.根据权利要求5所述的光偏振转换器，其中，所述结晶平面是{0-11}、{111}或{112}平面。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述第一层的侧面与所述第二层的侧面在第一平面中共面，所述第三表面至少部分地从所述第一平面偏移。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述波导包括位于所述第一表面与所述第二表面之间的第四表面，所述第四表面不平行于所述第一表面。
9.根据权利要求8所述的光偏振转换器，其中，所述第四表面垂直于所述第一表面。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述波导的与光传播轴线平行的长度基本上等于奇数乘以输入光的波长的拍长的四分之一。
11.根据前述权利要求中任一项所述的光偏振转换器，其中，所述第一层的第一部分包括所述第一表面，并且所述第一层的第二部分包括所述第二表面，所述第一层的所述第一部分包括与所述第一层的所述第二部分不同的材料。
12.根据权利要求11所述的光偏振转换器，包括位于所述第一层的所述第一部分与所述第一层的所述第二部分之间的所述第一层的第三部分，使得所述第一层的所述第一部分与所述第一层的所述第三部分接触，并且所述第一层的所述第三部分与所述第一层的所述第二部分接触，所述第一层的所述第三部...
【专利技术属性】
技术研发人员：马德莱娜·尼尔森，阿隆索·热苏斯·米兰梅希亚，卢多维库斯·玛丽·奥古斯丁，
申请(专利权)人：思敏光子控股有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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