【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及复合钨电极，具体为一种复合钨电极材料及其制备方法。
技术介绍
1、钨熔点高，电子发射能力强，弹性模量高，蒸气压低，故很早就被用作热电子发射材料，纯金属钨极的发射效率很低，且在高温下再结晶形成等轴状晶粒组织而使钨丝下垂、断裂，为克服上述缺点，适应现代工业新技术、新工艺的发展，各国材料工作者正致力于研究和开发各种新型电极材料，从而复合钨电极得以发展。
2、现有的复合钨电极大多只是掺杂稀土氧化物进行改性，由于稀土的价格昂贵，导致复合钨电极的生产成本较高。
技术实现思路
1、本专利技术目的是提供一种复合钨电极材料及其制备方法，以解决现有技术中，复合钨电极大多只是掺杂稀土氧化物进行改性，由于稀土的价格昂贵，导致复合钨电极的生产成本较高的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术第一方面提供一种复合钨电极材料，包括以下组成成分：
3、钨粉、cnt/fe3o4复合材料、wc/cnt复合材料、碳化硅、稀土氧化物。
4、优...
【技术保护点】
1.一种复合钨电极材料，其特征在于，包括以下组成成分：
2.根据权利要求1所述的一种复合钨电极材料，其特征在于：所述稀土氧化物为CeO2、ThO2、La2O3、ZrO2和Y2O3中一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种复合钨电极材料，其特征在于，以质量百分比计，各组分的含量如下：
4.根据权利要求3所述的一种复合钨电极材料，其特征在于，所述CNT/Fe3O4复合材料、WC/CNT复合材料和碳化硅的含量比为2:3:1。
5.一种如权利要求1～4任一项所述的复合钨电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。