【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光谱，更为具体地说，涉及一种光谱芯片的光调制层和包括其的光谱芯片。
技术介绍
1、光与物质发生相互作用，如吸收、散射、荧光、拉曼等，会产生特定光谱，而每种物质的光谱，都是独一无二的。因此，光谱信息可以说是万物的“指纹”。光谱仪能够直接检测物质的光谱信息，得到被测目标的存在状况与物质成分，是材料表征、化学分析等领域重要的测试仪器之一。
2、光谱仪往往对不同偏振的入射光有不同的响应，而在实际使用中，由于无法事先知道待测光的偏振状态，因此在实际使用中需要在光路中增加偏振片，不仅增加了成本，难以微型化且无法保证性能的稳定性。
3、因此，期望提供一种用于消除偏振影响的改进的光谱芯片。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种光谱芯片的光调制层和包括其的光谱芯片，其通过包含具有预定角度的子结构单元的结构单元，来解决光谱芯片的透射谱对偏振的敏感性。
2、根据本申请的一方面，提供了一种光谱芯片的光调制层，包括：一个或多个结构单元，每个结构单元包括n个子结构单元，且所述每个结构单元内的每个子结构单元所具有的微纳结构的数量、形状、结构对于所述多个子结构单元一致，且所述微纳结构相对于所述子结构单元的位置相互对应，并且，所述每个结构单元内的n个子结构单元中的每两个子结构单元之间具有旋转角度θ，满足：
3、
4、其中m和n为正整数。
5、在上述光谱芯片的光调制层中，m等于1，且n大于等于2。
6、在上述光谱芯片的光
7、在上述光谱芯片的光调制层中，每个子结构单元包括至少两种微纳结构，且所述微纳结构不规则排布。
8、在上述光谱芯片的光调制层中，所述结构单元包括第一子结构单元和第二子结构单元，且所述第二子结构单元以所述第一子结构单元90度旋转形成。
9、根据本申请的另一方面，提供了一种光谱芯片，包括：如上所述的光调制层；和，图像传感器，所述光调制层设置于所述图像传感器的感光路径上，且所述结构单元与所述图像传感器的物理像素相对应。
10、在如上所述的光谱芯片中，进一步包括：透光层，所述透光层位于所述光调制层和所述图像传感器之间，所述透光层形成于所述图像传感器的表面并具有平整的上表面。
11、在如上所述的光谱芯片中，进一步包括：保护层，所述保护层位于所述光调制层的上表面，用于保护所述光调制层。
12、在如上所述的光谱芯片中，所述光调制层的所述结构单元的微纳结构为调制孔，且所述调制孔至少部分被填充材料填充。
13、在如上所述的光谱芯片中，所述光调制层包括作为如上所述的光调制层的第一光调制层和第二光调制层，且所述第一光调制层和所述第二光调制层设置于所述图像传感器的感光路径上，且所述第一光调制层和所述第二光调制层的所述结构单元与所述图像传感器的物理像素相对应。
14、在如上所述的光谱芯片中，进一步包括：透光层，所述透光层位于所述图像传感器和所述第二光调制层之间，所述透光层形成于所述图像传感器的表面并具有平整的上表面。
15、在如上所述的光谱芯片中，进一步包括：连接层，所述连接层位于所述第一光调制层和所述第二光调制层之间，用于连接所述第一光调制层和所述第二光调制层。
16、在如上所述的光谱芯片中，进一步包括：保护层，所述保护层位于所述第一光调制层的上表面，用于保护所述第一光调制层。
17、在如上所述的光谱芯片中，所述第一光调制层和所述第二光调制层的所述结构单元的微纳结构为调制孔，且所述调制孔至少部分被填充材料填充。
18、在如上所述的光谱芯片中，所述透光层、所述连接层和所述保护层由第一材料形成，所述第一光调制层和所述第二光调制层由第二材料形成，且所述第一材料的第一折射率低于所述第二材料的第二折射率。
19、在如上所述的光谱芯片中，所述光调制层包括作为如上所述的光调制层的三个以上的光调制层，所述三个以上的光调制层设置于所述图像传感器的感光路径上，且所述三个以上的光调制层的所述结构单元与所述图像传感器的物理像素相对应。
20、在如上所述的光谱芯片中，包括：设置于所述图像传感器的感光路径上的非调制区域和调制区域，所述非调制区域不具有如上所述的结构单元，且所述调制区域具有如上所述的结构单元或其组合。
21、本申请实施例提供的光谱芯片的光调制层和包括其的光谱芯片，其通过包含具有预定角度的子结构单元的结构单元，来解决光谱芯片的透射谱对偏振的敏感性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光谱芯片的光调制层，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，m等于1，且n大于等于2。
3.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，每个子结构单元包括至少一种微纳结构。
4.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，每个子结构单元包括至少两种微纳结构，且所述微纳结构不规则排布。
5.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，所述结构单元包括第一子结构单元和第二子结构单元，且所述第二子结构单元以所述第一子结构单元90度旋转形成。
6.一种光谱芯片，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的光谱芯片，进一步包括：
8.根据权利要求6所述的光谱芯片，进一步包括：保护层，所述保护层位于所述光调制层的上表面，用于保护所述光调制层。
9.根据权利要求6所述的光谱芯片，其中，所述光调制层的所述结构单元的微纳结构为调制孔，且所述调制孔至少部分被填充材料填充。
10.根据权利要求6所述的光谱芯片，其中，所述光调制层包括作为根据权利要求1到
11.根据权利要求10所述的光谱芯片，进一步包括：透光层，所述透光层位于所述图像传感器和所述第二光调制层之间，所述透光层形成于所述图像传感器的表面并具有平整的上表面。
12.根据权利要求10所述的光谱芯片，进一步包括：连接层，所述连接层位于所述第一光调制层和所述第二光调制层之间，用于连接所述第一光调制层和所述第二光调制层。
13.根据权利要求10所述的光谱芯片，进一步包括：保护层，所述保护层位于所述第一光调制层的上表面，用于保护所述第一光调制层。
14.根据权利要求10所述的光谱芯片，其中，所述第一光调制层和所述第二光调制层的所述结构单元的微纳结构为调制孔，且所述调制孔至少部分被填充材料填充。
15.根据权利要求11到13中任意一项所述的光谱芯片，所述透光层、或所述连接层，或所述保护层由第一材料形成，所述第一光调制层和所述第二光调制层由第二材料形成，且所述第一材料的第一折射率低于所述第二材料的第二折射率。
16.根据权利要求6所述的光谱芯片，其中，所述光调制层包括作为根据权利要求1到5中任意一项所述的光调制层的三个以上的光调制层，所述三个以上的光调制层设置于所述图像传感器的感光路径上，且所述三个以上的光调制层的所述结构单元与所述图像传感器的物理像素相对应。
17.根据权利要求6所述的光谱芯片，包括：设置于所述图像传感器的感光路径上的非调制区域和调制区域，所述非调制区域不具有根据权利要求1到5中任意一项所述的结构单元，且所述调制区域具有根据权利要求1到5中任意一项所述的结构单元或其组合。
...【技术特征摘要】
1.一种光谱芯片的光调制层，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，m等于1，且n大于等于2。
3.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，每个子结构单元包括至少一种微纳结构。
4.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，每个子结构单元包括至少两种微纳结构，且所述微纳结构不规则排布。
5.根据权利要求1所述的光谱芯片的光调制层，其中，所述结构单元包括第一子结构单元和第二子结构单元，且所述第二子结构单元以所述第一子结构单元90度旋转形成。
6.一种光谱芯片，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的光谱芯片，进一步包括：
8.根据权利要求6所述的光谱芯片，进一步包括：保护层，所述保护层位于所述光调制层的上表面，用于保护所述光调制层。
9.根据权利要求6所述的光谱芯片，其中，所述光调制层的所述结构单元的微纳结构为调制孔，且所述调制孔至少部分被填充材料填充。
10.根据权利要求6所述的光谱芯片，其中，所述光调制层包括作为根据权利要求1到5中任意一项所述的光调制层的第一光调制层和第二光调制层，所述第一光调制层和所述第二光调制层设置于所述图像传感器的感光路径上，且所述第一光调制层和所述第二光调制层的所述结构单元与所述图像传感器的物理像素相对应。
11.根据权利要求10所述的光谱芯片，进一步包括：透光层，所述透光层位于所述图像传...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹金磊，王宇，黄志雷，
申请(专利权)人：北京与光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。