System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种耐高温传感模块的封装结构、传感器及方法技术_技高网

一种耐高温传感模块的封装结构、传感器及方法技术

技术编号:40548954 阅读:9 留言:0更新日期:2024-03-05 19:07
本发明专利技术涉及一种耐高温传感模块的封装结构、传感器及方法,封装结构包括第一层基片、第二层基片、第三层基片和第四层基片;从第一层基片的上表面至第三层基片的下表面设置有贯穿第一层基片、第二层基片和第三层基片的模块放置腔;若干电连接线,若干电连接线的连接头部均设置在第四层基片上,且均设置在模块放置腔内;第一层基片的上表面和第四层基片的下表面均设置有引出电极,一部分电连接线的连接线部通过第一层基片至第三层基片的导通孔连接第一层基片的上表面的引出电极,一部分电连接线的连接线部通过第四层基片的导通孔连接第四层基片的下表面的引出电极。封装结构可以提高传感模块在高温环境中的工作稳定性和长期工作的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装,具体涉及一种耐高温传感模块的封装结构、传感器及方法


技术介绍

1、耐高温传感器在航天、航空、国防建设、能源开发等领域有着广阔的应用需求。高温环境下的传感测量已经成为航空航天、船舶舰艇等军工领域必须突破和掌握的关键技术之一。

2、随着技术的进步,能够在高温下正常工作的传感器芯片材料被不断发现,但是传感器封装结构常常涉及到多种材料的组合、固连,在高温下非常容易引起异质材料热膨胀不一致、材料高温氧化、连接件之间软化脱落等问题,导致传感器芯片支撑结构失效、电连接短路或断路、甚至传感器芯片破裂等,造成传感器性能恶化甚至永久失效。

3、因此,如何提高传感模块在高温环境中的工作稳定性和可靠性,成为了亟待解决的问题。


技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种耐高温传感模块的封装结构、传感器及方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现:

2、一种耐高温传感模块的封装结构,所述封装结构包括从上至下依次层叠设置的第一层基片、第二层基片、第三层基片和第四层基片;

3、从所述第一层基片的上表面至所述第三层基片的下表面设置有贯穿所述第一层基片、所述第二层基片和所述第三层基片的模块放置腔;

4、若干电连接线,所述若干电连接线的连接头部均设置在所述第四层基片上,且均设置在所述模块放置腔内;

5、所述第一层基片的上表面和所述第四层基片的下表面均设置有引出电极,一部分所述电连接线的连接线部通过所述第一层基片至所述第三层基片的导通孔连接所述第一层基片的上表面的引出电极,另一部分所述电连接线的连接线部通过所述第四层基片的导通孔连接所述第四层基片的下表面的引出电极。

6、在本专利技术的一个实施例中,封装结构还包括补偿层,所述补偿层设置在所述第四层基片的上表面除所述电连接线的其余部分,所述补偿层的高度和所述电连接线的高度相同。

7、在本专利技术的一个实施例中,所述补偿层通过在所述第四层基片的上表面印刷氧化铝浆料形成。

8、在本专利技术的一个实施例中,所述第一层基片、所述第二层基片、所述第三层基片和所述第四层基片的材料包括氧化铝膜带。

9、在本专利技术的一个实施例中,在所述第二层基片上还设置有若干热应力通道,所述热应力通道在第一方向上贯穿所述第二层基片,所述热应力通道在第二方向上连通所述模块放置腔至外部,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

10、在本专利技术的一个实施例中,所述热应力通道的数量为1个或者2个;

11、所述热应力通道的数量为1个时,所述热应力通道的中心轴线与所述第二层基片沿所述第二方向的中心轴线重合;

12、所述热应力通道的数量为2个时,2个所述热应力通道对称设置于所述第二层基片沿所述第二方向的中心轴线的两侧。

13、在本专利技术的一个实施例中,所述导通孔中填充有固含量为85%-90%的铂浆,所述电连接线由固含量为80%-85%的铂浆印刷形成,所述电连接线的连接线部通过所述导通孔中填充的铂浆与所述引出电极连接。

14、本专利技术还提供一种耐高温传感模块的封装结构的制备方法,用于制备上述任一项实施例所述的封装结构,所述制备方法包括:

15、选取第一层基片、第二层基片、第三层基片和第四层基片;

16、对所述第一层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第一层基片的模块放置孔和导通孔;

17、在所述第一层基片的表面印刷引出电极;

18、对所述第二层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第二层基片的模块放置孔和导通孔;

19、将所述第一层基片叠层设置在所述第二层基片上,其中,设置有所述引出电极的所述第一层基片叠层的表面位于远离所述第二层基片的一侧;

20、对所述第三层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第三层基片的模块放置孔和导通孔,其中,贯穿所述第一层基片、所述第二层基片和所述第三层基片的模块放置孔构成模块放置腔;

21、将所述第三层基片叠层设置在远离所述第一层基片的所述第二层基片上;

22、对所述第四层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第四层基片和导通孔;

23、使用固含量为80%-85%的铂浆在所述第四层基片上印刷若干电连接线;

24、将所述第四层基片叠层设置在远离所述第二层基片的所述第三层基片的一侧;

25、在远离所述第三层基片的所述第四层基片的表面印刷引出电极;

26、在所述导通孔中填充固含量为85%-90%的铂浆;

27、对叠层后的所述第一层基片、所述第二层基片、所述第三层基片和所述第四层基片进行等静压和烧结处理,制备得到所述封装结构。

28、在本专利技术的一个实施例中,对所述第二层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第二层基片的模块放置孔和导通孔,还包括:

29、在所述第二层基片上,沿第二方向形成连通所述模块放置腔和外部的若干热应力孔;

30、在将所述第一层基片叠层设置在所述第二层基片上之后,还包括:

31、在所述热应力孔中填充碳浆,以在烧结后碳浆挥发形成热应力通道,其中,所述热应力通道在第一方向上贯穿所述第二层基片,所述第一方向和所述第二方向相互垂直;

32、在使用固含量为80%-85%的铂浆在所述第四层基片上印刷若干电连接线之后,还包括:

33、在所述第四层基片的表面除印刷有电连接线的其余部分印刷补偿层。

34、本专利技术还提供一种传感器,包括上述任一项实施例所述的耐高温传感模块的封装结构。

35、与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于:

36、本专利技术在第四层基片上方的第一层基片至第三层基片设置有模块放置腔,然后将电连接线的连接头部均设置在第四层基片上方的模块放置腔内,并且将引出电极分别设置在了第一层基片的上表面和第四层基片的下表面,由此可以将传感模块的引脚通过封装结构内部的电连接线引至封装结构尾部的引出电极,由此可以满足虽然传感模块处于高温环境,而控制电路处于低温环境的情况,因此可以提高传感模块在高温环境中的工作稳定性和长期工作的可靠性,可以保持较高的测量精度。

37、以下将结合附图及实施例对本专利技术做进一步详细说明。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐高温传感模块的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括从上至下依次层叠设置的第一层基片、第二层基片、第三层基片和第四层基片;

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括补偿层,所述补偿层设置在所述第四层基片的上表面除所述电连接线的其余部分,所述补偿层的高度和所述电连接线的高度相同。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述补偿层通过在所述第四层基片的上表面印刷氧化铝浆料形成。

4.根据权利要求1或3所述的封装结构,其特征在于,所述第一层基片、所述第二层基片、所述第三层基片和所述第四层基片的材料包括氧化铝膜带。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,在所述第二层基片上还设置有若干热应力通道,所述热应力通道在第一方向上贯穿所述第二层基片,所述热应力通道在第二方向上连通所述模块放置腔至外部,所述第一方向和所述第二方向相互垂直。

6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,所述热应力通道的数量为1个或者2个;

7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述导通孔中填充有固含量为85%-90%的铂浆,所述电连接线由固含量为80%-85%的铂浆印刷形成,所述电连接线的连接线部通过所述导通孔中填充的铂浆与所述引出电极连接。

8.一种耐高温传感模块的封装结构的制备方法,用于制备权利要求1至7任一项所述的封装结构,所述制备方法包括:

9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,对所述第二层基片进行冲孔处理,以制备贯穿所述第二层基片的模块放置孔和导通孔,还包括:

10.一种传感器,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的耐高温传感模块的封装结构。

...

【技术特征摘要】

1.一种耐高温传感模块的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括从上至下依次层叠设置的第一层基片、第二层基片、第三层基片和第四层基片;

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括补偿层,所述补偿层设置在所述第四层基片的上表面除所述电连接线的其余部分,所述补偿层的高度和所述电连接线的高度相同。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述补偿层通过在所述第四层基片的上表面印刷氧化铝浆料形成。

4.根据权利要求1或3所述的封装结构,其特征在于,所述第一层基片、所述第二层基片、所述第三层基片和所述第四层基片的材料包括氧化铝膜带。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,在所述第二层基片上还设置有若干热应力通道,所述热应力通道在第一方向上贯穿所述第二层基片,所述热应力通道在第二方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵鹏付妍博张懿民张苗化黄正林冀妍妍窦培谦付琮俊杨一帆景哲
申请(专利权)人:西安创研电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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