【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，具体属于多温区静电卡盘或加热基座的温度控制，更具体地涉及一种晶圆刻蚀或沉积方法、用于获取刻蚀或沉积速率预测模型的方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、集成电路先进工艺制程一般由上千道工艺程序组成，包括：刻蚀、沉积、清洗等环节。其中刻蚀作为关键环节，决定了半导体器件的关键尺寸，最终影响半导体器件性能。刻蚀速率和刻蚀均一性是半导体工艺的重点关注参数，当前通常通过调整晶圆承载装置的各个温度控制区的温度值来调节刻蚀速率，以保障晶圆的刻蚀均一性。
2、在相关技术中，当晶圆承载装置的某个温度控制区的温度值发生改变时，根据温度敏感度和改变前后的温度差值来预测改变后的刻蚀速率，然而该方法预测得到的刻蚀速率分布数据与实际测量的刻蚀速率分布数据存在较大偏差。
技术实现思路
1、本专利技术实施例公开了一种晶圆刻蚀或沉积方法、用于获取刻蚀或沉积速率预测模型的方法及半导体工艺设备，以解决相关技术中刻蚀或沉积速率分布数据的预测值与实测值存在较大偏差的问题。
2、为了解决上...
【技术保护点】
1.一种晶圆刻蚀或沉积方法，所述方法应用于具有晶圆承载装置的工艺腔室，所述晶圆承载装置的晶圆承载面具有多个主温度控制区和多个辅温度控制区，多个所述主温度控制区在所述晶圆承载面的径向方向上依次设置，位于径向方向外侧的所述主温度控制区环绕位于径向方向内侧的所述主温度控制区设置，多个所述辅温度控制区沿所述晶圆承载装置的角向设置，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述第一刻蚀或沉积速率预测模型与各个所述主温度控制区的第一刻蚀或沉积...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀或沉积方法，所述方法应用于具有晶圆承载装置的工艺腔室，所述晶圆承载装置的晶圆承载面具有多个主温度控制区和多个辅温度控制区，多个所述主温度控制区在所述晶圆承载面的径向方向上依次设置，位于径向方向外侧的所述主温度控制区环绕位于径向方向内侧的所述主温度控制区设置，多个所述辅温度控制区沿所述晶圆承载装置的角向设置，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述第一刻蚀或沉积速率预测模型与各个所述主温度控制区的第一刻蚀或沉积速率预测子模型相关联，各个第一刻蚀或沉积速率预测子模型分别用于表征对应的所述主温度控制区的温度控制值发生改变时，所述晶圆承载面上径向方向的各个位置的刻蚀或沉积速率与相关联位置的对应关系。
4.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述第二刻蚀或沉积速率预测模型与各个所述辅温度控制区的第二刻蚀或沉积速率预测子模型相关联，各个第二刻蚀或沉积速率预测子模型分别用于表征对应的所述辅温度控制区的温度控制值发生改变时，所述晶圆承载面上角向方向的各个位置的刻蚀或沉积速率与相关联位置的对应关系。
5.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，获取所述第一刻蚀或沉积速率预测子模型的步骤包括：
6.根据权利要求4所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，获取所述第二刻蚀或沉积速率预测子模型的步骤包括：
7.一种晶圆刻蚀或沉积方法，所述方法应用于具有晶圆承载装置的工艺腔室，所述晶圆承载装置的晶圆承载面具有多个温度控制区，其特征在于，所述方法包括：
8.一种晶圆刻蚀或沉积方法，所述方法应用于具有晶圆承载装置的工艺腔室，所述晶圆承载装置的晶圆承载面具有多个温度控制区，其特征在于，所述方法包括：
9.根据权利要求7或8所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述刻蚀或沉积速率预测模型与各个所述温度控制区的刻蚀或沉积速率预测子模型相关联，各个刻蚀或沉积速率预测子模型分别用于表征对应的所述温度控制区的温度控制值发生改变时，所述晶圆承载面上的各个位置的刻蚀或沉积速率与相关联位置的对应关系。
10.根据权利要求7或8所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，获取所述刻蚀或沉积速率预测子模型的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述刻蚀或沉积速率预测子模型由下式表示：
12.根据权利要求11所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，获取所述刻蚀或沉积速率预测子模型还包括：
13.根据权利要求10所述的晶圆刻蚀或沉积方法，其特征在于，所述晶圆承载装置包括n个温度控制区，n为大于或等于2的整数，所述刻蚀或...
【专利技术属性】
技术研发人员：李宛桐，朱海云，骆军，陈振胜，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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