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本发明实施例公开了一种晶圆刻蚀或沉积及模型获取方法、半导体工艺设备，具体涉及用于多温区静电卡盘或加热基座的各个温度控制区的控温方法，该控温方法结合了温度敏感度和刻蚀副产物或沉积物随温度梯度的扩散分布对于刻蚀或沉积速率的影响，能够更加准确地预...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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