【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掩膜板，特别涉及一种掩膜条及掩膜板的制作方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)目前采用蒸镀工艺，其中高精细金属掩膜板(fmm)用于红、绿、蓝(r、g、b)发光层材料蒸镀，材料蒸汽各自到达oled显示基板子像素阳极表面凝结，避免了像素间混色。现有技术中的高精细金属掩膜板的掩膜条湿式蚀刻制作流程如图1所示，包括涂布(光阻a)、显影(光罩b)、蚀刻、清洗四个步骤。
2、为了避免盖板与基板完全贴合引起的显示不良，oled显示基板于子像素阳极间会设置一定高度的支撑图形(ps)，但是也导致fmm和阳极间的间隙增大。在蒸镀过程中，由于蒸镀角度并不是90°，因而材料蒸汽会通过该间隙渗透到fmm上的蒸镀孔以外的区域，由于fmm掩膜板100和阳极间的间隙增大，使得oled显示基板200上的蒸镀阴影(shadow)也随之增大，如图2所示。该蒸镀阴影可能会造成r，g，b子像素之间的交叉污染，导致混色。同时该阴影也限制了r，g，b子像素之间的距离不能过小，不便制造高分辨率的oled显示基板。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种掩膜条及掩膜板的制作方法，在掩膜条与显示基板贴合面的子像素开孔间设计凹陷区，凹陷区与显示基板支撑图形位置对应，使掩膜板与显示基板贴合后两者间隙减小，从而减小蒸镀阴影。
2、第一方面，本专利技术提供了一种掩膜条的制作方法，包括如下步骤：
3、对掩膜条的第一面进行蚀刻，得到子像素孔及凹陷区，所述第一面为掩膜
4、对掩膜条的第二面进行蚀刻，使子像素孔蚀刻至与第一面子像素孔贯穿且达到子像素开孔设计大小，贯穿孔即供蒸镀材料穿过并沉积至tft基板电路形成有效显示区域。
5、进一步地，所述凹陷区位于子像素孔中间，且与显示基板支撑图形一一对应，凹陷区与掩膜条第一面的子像素孔的蚀刻深度一致，凹陷区的面积大于支撑图形。
6、进一步地，对掩膜条的第一面的蚀刻及对掩膜条的第二面的蚀刻同时进行，或者分别进行，或者先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻
7、进一步地，所述对掩膜条的第一面进行蚀刻，具体包括：通过第一光罩对涂布有光阻的掩膜条第一面显影，然后蚀刻、清洗，所述第一光罩的开孔与子像素孔及凹陷区对应设置。
8、进一步地，所述对掩膜条的第二面进行蚀刻，具体包括：通过第二光罩对涂布有光阻的掩膜条第二面显影，然后蚀刻、清洗，所述第二光罩的开孔与子像素孔对应设置。
9、进一步地，所述掩膜条采用invar36材质。
10、进一步地，所述掩膜条的厚度范围为30-100um。
11、第二方面，本专利技术提供了一种掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括掩膜条和掩膜框，所述掩膜条采用如第一方面所述的方法制作。
12、本专利技术具有如下优点：
13、通过在掩膜条上蚀刻用于嵌入支撑图形的凹陷区，使掩膜板与显示基板贴合间隙减小，从而减少有机发光材料向子像素蒸镀区域以外的区域扩散，减小了蒸镀阴影的面积，减少相邻子像素混色风险，有易于产品分辨率提高，并且该方案非常易于实现，无需增加额外的工序，实现成本低。
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1.一种掩膜条的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述凹陷区位于子像素孔中间，且与显示基板支撑图形一一对应，凹陷区与掩膜条第一面的子像素孔的蚀刻深度一致，凹陷区的面积大于支撑图形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对掩膜条的第一面的蚀刻及对掩膜条的第二面的蚀刻同时进行，或者分别进行，或者先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对掩膜条的第一面进行蚀刻，具体包括：通过第一光罩对涂布有光阻的掩膜条第一面显影，然后蚀刻、清洗，所述第一光罩的开孔与子像素孔及凹陷区对应设置。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于：所述对掩膜条的第二面进行蚀刻，具体包括：通过第二光罩对涂布有光阻的掩膜条第二面显影，然后蚀刻、清洗，所述第二光罩的开孔与子像素孔对应设置。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述掩膜条采用INVAR36材质。
7.根据权利要求1或6所述的方法，其特征在于：所述掩膜条的厚度范围为30
8.一种掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括掩膜条和掩膜框，其特征在于，所述掩膜条采用如权利要求1-7任一项所述的方法制作。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜条的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述凹陷区位于子像素孔中间，且与显示基板支撑图形一一对应，凹陷区与掩膜条第一面的子像素孔的蚀刻深度一致，凹陷区的面积大于支撑图形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对掩膜条的第一面的蚀刻及对掩膜条的第二面的蚀刻同时进行，或者分别进行，或者先同时蚀刻第一面及第二面，再对第二面进行二次蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对掩膜条的第一面进行蚀刻，具体包括：通过第一光罩对涂布有光阻的掩膜条第一面显影，然后蚀刻、清洗...
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