本发明专利技术提供一种新型像素补偿电路及其补偿方法，包括有上层补偿电路、下层补偿电路和连接线；晶体管T1的源极和晶体管T2的源极连接，晶体管T1的漏极与Ref讯号连接，晶体管T1的栅极与Reset讯号连接，晶体管T2的漏极与Data讯号连接，晶体管T2的栅极与Scan讯号连接；晶体管T3的源极与OVDD连接，晶体管T3的栅极和电容C1的一端连接于G点，且晶体管T1的源极和晶体管T2的源极通过一连接线于G点，晶体管T3的漏极与电容C1的另一端连接于S点；发光二极管的负极连接有OVSS，发光二极管的正极通过另一连接线与S点连接，电容C2的一端通过连接线与电容C1的另一端连接，电容C2的另一端与发光二极管的正极连接。上述电路可以增大面板的解析度，使显示更清晰。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示电路，尤其涉及一种新型像素补偿电路及其补偿方法。
技术介绍
1、oled面板由电流驱动显示，通过控制每个像素驱动电路中驱动tft的电流改变亮度。驱动tft工作在饱和区，根据饱和区电流公式ioled＝1/2μncoxw/l(vgs-vth)2其中，cox(单位面积的绝缘层电容)和w/l(tft沟道长宽比)为固定值，则电流大小由μn(电子迁移率)，vgs和vth决定，vth为tft的阈值电压，vgs为栅级和漏极的电压差，但是由于制程的限制，无法做到大板和面板上各处驱动tft的vth和μn完全相同，并且由于半导体材料特性，vth在长时间受到正压/负压的stress会发生正漂/负漂，这会导致面板不同位置流过像素驱动tft的电流大小不同使得面板的显示画面亮度不均。
2、ovss讯号线为oled提供电流，阻抗随着走线延长而增大，压降也增大，距离讯号源远近不同的像素接收到ovss电压大小不同，由公式变换可得i＝1/2μncox(w/l)[vdata-(voled+ovss)-vth]2，voled为oled的工作电压，ovss不同使电流不同导致面板显示亮度不均。
3、面板显示区内各个像素都包含一个像素驱动电路一般由数个tft和电容组成，显示区大小不变情况下，平面上单个像素内的tft越多，则像素越大，面板解析度就会越小。
4、综上，对oled面板来说如何消除μn，vth和ovss不均对驱动tft电流影响使画面显示亮度均匀，以及减小像素电路平面面积增大解析度对oled面板是非常重要的。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种新型像素补偿电路及其补偿方法，增大面板的解析度，使显示更清晰。
2、本专利技术是这样实现的：
3、第一方面，本专利技术提供了一种新型像素补偿电路，包括有上层补偿电路、以及设置在上层补偿电路下方的下层补偿电路以及用于连接上层补偿电路和下层补偿电路的连接线；
4、所述上层补偿电路包括有晶体管t1和t2，所述晶体管t1的源极和晶体管t2的源极连接，所述晶体管t1的漏极与ref讯号连接，所述晶体管t1的栅极与reset讯号连接，所述晶体管t2的漏极与data讯号连接，所述晶体管t2的栅极与scan讯号连接；
5、所述下层补偿电路包括有晶体管t3和电容c1，所述晶体管t3的源极与ovdd连接，所述晶体管t3的栅极和电容c1的一端连接于g点，且所述晶体管t1的源极和晶体管t2的源极通过一连接线于g点，所述晶体管t3的漏极与电容c1的另一端连接于s点；
6、所述上层补偿电路还包括有电容c2和发光二极管，所述发光二极管的负极连接有ovss，所述发光二极管的正极通过另一连接线与s点连接，所述电容c2的一端通过连接线与电容c1的另一端连接，所述电容c2的另一端与发光二极管的正极连接。
7、进一步地，所述晶体管t1和t2为氧化物薄膜晶体管。
8、进一步地，所述晶体管t3为低温多晶硅薄膜晶体管。
9、第二方面，本专利技术提供了一种新型像素补偿电路的补偿方法，包括有重置阶段、补偿阶段、写入阶段和发光阶段；
10、所述重置阶段：reset讯号高电位，晶体管t1打开，scan讯号低电位，晶体管t2关闭；g点写入ref讯号的电压，g点电压vg重置，晶体管t3打开，受电容c1耦合作用，s点电压vs开始上升；
11、vs电压开始上升过程中，vovdd先保持vl低电压，随后上升到vh，完成的vs电压重置；
12、所述补偿阶段：reset讯号仍保持高电位，晶体管t1打开，scan讯号保持低电位，晶体管t2关闭；g点写入ref讯号的电压，晶体管t3仍保持打开状态；
13、vovdd由高电位vh下降到低电位vl，s点电压逐渐下降直至vs＝vref-vth，晶体管t3关闭，完成vth电压的提取；
14、所述写入阶段：reset讯号低电位，晶体管t1关闭；scan讯号高电位，晶体管t2打开，g点电压写入vdata，晶体管t3打开，同时通过电容c1耦合作用，s点电压下降，vs在完全被电容c1耦合下降到晶体管t3关闭前，scan讯号关闭；
15、所述发光阶段：scan讯号低电位，晶体管t2关闭；reset讯号低电位，晶体管t1关闭，晶体管t3打开，发光二极管点亮。
16、进一步地，所述ovss讯号的电位比vl电位更低。
17、本专利技术的优点在于：
18、1、可以增大面板的解析度，使显示更清晰。
19、2、消除了vth制程上的不均和长时间使用引起的电性漂移对驱动tft电流的影响，
20、3、消除了μn制程上的不均对驱动tft电流的影响
21、4、消除电流公式中不良因子ovss的讯号影响，解决讯号长距离走线的i-r drop导致的驱动电流不同问题。
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【技术保护点】
1.一种新型像素补偿电路，其特征在于：包括有上层补偿电路、以及设置在上层补偿电路下方的下层补偿电路以及用于连接上层补偿电路和下层补偿电路的连接线；
2.如权利要求1所述的一种新型像素补偿电路，其特征在于：所述晶体管T1和T2为氧化物薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的一种新型像素补偿电路，其特征在于：所述晶体管T3为低温多晶硅薄膜晶体管。
4.如权利要求1所述的一种新型像素补偿电路，其特征在于：所述发光二极管为OLED。
5.一种新型像素补偿电路的补偿方法，其特征在于：基于权利要求1-4任一项所述的像素补偿电路，包括有重置阶段、补偿阶段、写入阶段和发光阶段；
6.如权利要求5所述的一种新型像素补偿电路的补偿方法，其特征在于：所述OVSS讯号的电位比VL电位更低。
【技术特征摘要】
1.一种新型像素补偿电路，其特征在于：包括有上层补偿电路、以及设置在上层补偿电路下方的下层补偿电路以及用于连接上层补偿电路和下层补偿电路的连接线；
2.如权利要求1所述的一种新型像素补偿电路，其特征在于：所述晶体管t1和t2为氧化物薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的一种新型像素补偿电路，其特征在于：所述晶体管t3为低温多晶硅薄膜晶体管。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨远直，黄炆，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：
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