一种无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法及微米LED发光芯片技术

本发明专利技术提供了一种无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法及微米LED发光芯片，包括如下步骤：在GaN外延片上生长n‑GaN层；在n‑GaN层表面沉积透明绝缘材料层；在透明绝缘材料层表面上形成阵列分布的微米孔洞；微米孔洞底部刻蚀至n‑GaN层；利用碱性溶液和紫外光线对微米孔洞进行光化学修复；在微米孔洞中生长LED结构；在透明绝缘材料层上蒸镀一层电流散布层；利用感应耦合等立体刻蚀法对透明绝缘材料层进行台面刻蚀，选择性刻蚀至n‑GaN层；利用电子束蒸镀工艺在电流散布层表面制备p电极，利用电子束蒸镀工艺在刻蚀出的n‑GaN层上制备n电极。本发明专利技术可以有效避免刻蚀损伤所带来的一些负面效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法及微米led发光芯片。

技术介绍

1、以gan为基础的发光二极管(led)具有体积小、寿命长、低电压等特点，在可见光通信、水下光通信、智能穿戴系统等领域具有巨大的应用潜力。由于微米led芯片具有尺寸小、集成度高和自发光等特点，在显示方面与液晶显示(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。利用其像素级控光达到的高亮度、高色域、高对比度性能，可以满足在户外、半户外及影院场景下使用的需求。利用其超小的晶粒尺寸，可以实现上千像素密度的需求，满足超小显示vr和ar技术的应用要求。

2、现如今，微米led的获取主要基于平面样品采用自上而下的方法而得。然而，采用自上而下的方法制备微米led，将不可避免地引入刻蚀损伤，引入非辐射表面复合，从而导致微米led发光效率的下降。以感应耦合等离子体刻蚀(induct本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

2.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法，其特征在于，所述GaN外延片为半极性面或极性面或非极性面晶面，位错密度不大于3×1018cm-2。

3.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法，其特征在于，在GaN外延片(4)上生长的n-GaN层(3)的厚度为1～2μm，所述n-GaN层(3)的载流子浓度大于5×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法，其特征在于，所述透明绝缘材料层(2)的材料...

【技术特征摘要】

1.一种无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

2.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法，其特征在于，所述gan外延片为半极性面或极性面或非极性面晶面，位错密度不大于3×1018cm-2。

3.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法，其特征在于，在gan外延片(4)上生长的n-gan层(3)的厚度为1～2μm，所述n-gan层(3)的载流子浓度大于5×1018cm-3。

4.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法，其特征在于，所述透明绝缘材料层(2)的材料为sio2或al2o3或tio2；所述透明绝缘材料层(2)在可见光波段具有透光性，所述透明绝缘材料层(2)厚度范围为500～700nm。

5.根据权利要求1所述的无侧壁损伤的微米led发光芯片的制备方法，其特征在于，所述微米孔洞的刻蚀深度大于透明绝缘材料层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张韵，孙浩，王勇，周程扬，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：