【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子器件，尤其涉及一种二极管和光伏模组。
技术介绍
1、当二极管中的pn结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴，将不断地与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是pn结就发生雪崩击穿。
2、然而，随着二极管的电压要求越来越高(如2000v以上)，二极管会出现二次雪崩，即由于雪崩电子引起nn+结附近电场变强，使得二极管在nn+结附近发生二次雪崩，此时二极管瞬间通过大电流并产生大量热能，大量热能短时无法散发会烧坏二极管。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种二极管，其特征在于，包括依次设置的阳极层、第一衬底层、阴极层和第二衬底层；所述阴极层内设置有与所述第一衬底层贴合的缓冲层；所述缓冲层内包括多个缓冲区域；每个缓冲区域内材料与所述阳极层内材料相同，并且每个缓冲区域的掺杂浓度小于所述阳极层的掺杂浓度和大于所述衬底层的掺杂浓度；所述第二衬底层上形成预设图案的沟槽，所述第二衬底层与所述阴极层贴合时形成供液体媒介流通的通道。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述预设图案与所述缓冲区域正对区域的子图案的通道密度大于其他区域子图案的密度。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述预...
【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括依次设置的阳极层、第一衬底层、阴极层和第二衬底层；所述阴极层内设置有与所述第一衬底层贴合的缓冲层；所述缓冲层内包括多个缓冲区域；每个缓冲区域内材料与所述阳极层内材料相同，并且每个缓冲区域的掺杂浓度小于所述阳极层的掺杂浓度和大于所述衬底层的掺杂浓度；所述第二衬底层上形成预设图案的沟槽，所述第二衬底层与所述阴极层贴合时形成供液体媒介流通的通道。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述预设图案与所述缓冲区域正对区域的子图案的通道密度大于其他区域子图案的密度。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述预设图案的沟槽内设置有指向预设流向的多个斜状体。
4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述斜状体的尾部厚度小于预设厚度。
5.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述预设图案的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹孙根，林俊，陈松，
申请(专利权)人：安徽钜芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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