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本发明提供了一种无侧壁损伤的微米LED发光芯片的制备方法及微米LED发光芯片，包括如下步骤：在GaN外延片上生长n‑GaN层；在n‑GaN层表面沉积透明绝缘材料层；在透明绝缘材料层表面上形成阵列分布的微米孔洞；微米孔洞底部刻蚀至n‑GaN层...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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