【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体可控整流器(scr)，更具体地涉及形成在多晶半导体材料阱中的scr及其形成方法。
技术介绍
1、由静电放电(esd)导致的故障可能会对集成电路(ic)的可靠性产生负面影响。ic设计通常包括esd保护器件(例如，在输入/输出衬垫(pad)处、在电源衬垫处、以及在电源域之间)。半导体可控整流器(scr)(例如，硅可控整流器)是一种类型的esd器件。在射频(rf)电路中，半导体可控整流器的存在可能会由于电容负载和随之而来的对谐波的影响而妨碍rf电路性能。过去减轻这些影响的努力包括，例如，用于scr自保护的开关。然而，这种保护开关的存在也减少了通过scr提供的esd保护量。
技术实现思路
1、本文提及的所有方面、示例和特征可以以任何技术上可能的方式组合。
2、本文公开的结构的实施例提供了一种结构，其包括：第一多晶半导体材料，其位于第一绝缘体上，并且在其中包括第一阱；单晶半导体材料，其与所述第一多晶半导体材料相邻，并且在其中包括阳极区域和阴极区域；以及第二多晶半导体材...
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述单晶半导体材料包括具有第一掺杂类型的第一区域和具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二区域，其中所述阳极区域位于所述第一区域内，并且所述阴极区域位于所述第二区域内。
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：栅极结构，其位于所述阳极区域和所述阴极区域之间的所述单晶半导体材料上，且位于所述单晶半导体材料的所述第一区域和所述第二区域之间的边界上方。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求1所述的结构，还包括：电阻半导体材料，其位于所述第一绝缘体...
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述单晶半导体材料包括具有第一掺杂类型的第一区域和具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第二区域，其中所述阳极区域位于所述第一区域内，并且所述阴极区域位于所述第二区域内。
3.根据权利要求2所述的结构，还包括：栅极结构，其位于所述阳极区域和所述阴极区域之间的所述单晶半导体材料上，且位于所述单晶半导体材料的所述第一区域和所述第二区域之间的边界上方。
4.根据权利要求3所述的结构，还包括：
5.根据权利要求1所述的结构，还包括：电阻半导体材料，其位于所述第一绝缘体、所述单晶半导体材料和所述第二绝缘体下方。
6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述单晶半导体材料包括与所述第一多晶半导体材料和所述第一绝缘体相邻的第一侧壁，以及与所述第二多晶半导体材料和所述第二绝缘体相邻的第二侧壁。
7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述单晶半导体材料位于三阱半导体结构内。
8.一种结构，包括：
9.根据权利要求8所述的结构，还包括：栅极结构，其位于所述第二p+区域和所述第二n+区域之间的所述单晶半导体材料上，且位于所述单晶半导体材料的所述n型区域和所述p型区域之间的边界上方。
10.根据权利要求8所述的结构，还包括：
11.根据权利要求8所述的结构，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·纳特，A·F·卢瓦索，R·J·小戈捷，S·米特拉，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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